张宇翔
,
王海燕
,
陈永生
,
杨仕娥
,
郜小勇
,
卢景霄
,
冯团辉
,
李瑞
,
郭敏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.031
用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a-Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜.然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量.结果发现,a-Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2.5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用.
关键词:
多晶硅薄膜
,
快速光热退火
,
固相晶化
郝秀利
,
陈永生
,
陈喜平
,
周建朋
,
王洪洪
,
卢景霄
,
杨仕娥
功能材料
EDTA作为络合剂,在pH值为5的条件下,采用水热法制备了NaYF4∶Yb3＋,Ho3＋微米棱柱上转换材料,研究了掺杂浓度和晶粒尺寸对上转换发光特性的影响。实验发现材料发光主要以绿光为主,最佳的Yb3＋、Ho3＋掺杂浓度分别为25%和1%,高于此值均会出现浓度猝灭效应。通过改变溶液中NaF/NH4HF2摩尔比来调控晶粒的尺寸,发现随着晶体颗粒尺寸的增大,材料中Yb3＋浓度增加,从而使上转换发光增强。
关键词:
上转换材料
,
氟化钇钠
,
水热法
,
发光强度
陈永生
,
杨仕娥
,
卢景霄
,
郜小勇
,
张宇翔
,
王海燕
,
李瑞
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.039
本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响.表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大.沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm.通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感.
关键词:
微晶硅薄膜
,
晶化率
,
等离子体增强化学气相沉积
郜小勇
,
林清耿
,
冯红亮
,
陈永生
,
杨仕娥
,
谷锦华
,
卢景霄
功能材料
采用氯化铵(NH4Cl)溶液对磁控溅射技术制备的掺铝氧化锌(AZO)薄膜进行表面织构,并对其表面织构机制进行研究.研究结果表明NH4Cl溶液优先与间隙锌、间隙铝等缺陷和晶界处的堆积铝反应,而较大的相对应力和稀疏表面有助于间隙锌、间隙铝等缺陷和堆积铝的形成.它们对NH4Cl对AZO薄膜的表面织构很关键.
关键词:
氯化铵
,
掺铝氧化锌薄膜
,
表面织构
王洪洪
,
陈永生
,
周建朋
,
何伟
,
卢景霄
人工晶体学报
本文采用水热法,通过改变溶剂制备了不同形貌的氧化锌微米棱棒,并尝试对其进行稀土Er3+的掺杂.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)及分光光度计对所得产物的组成、形貌、发光性能和光学特性进行了研究.实验表明:醇-水的环境有利于得到形态均匀的微米棱棒,醇水比例为1∶2.5,激子辐射复合发光与缺陷发光的比例最高,缺陷浓度最低,晶体质量最高.随着Er3+掺杂浓度的增加吸收强度增强,Er3+掺杂浓度达4mol％时吸收度不再变化.
关键词:
水热法
,
氧化锌
,
光学性能
周建朋
,
陈永生
,
卢景霄
,
孟晓波
,
李艳阳
,
王洪洪
人工晶体学报
采用细致平衡原理,将太阳,环境作为辐射体,只考虑电池辐射复合,建立了太阳电池的模型.通过模拟,得出单结太阳电池的极限效率为31％,当使用上转换器时,单结电池的极限效率增至47.3％；对于双结电池,当顶电池带隙宽度为1.7 eV,底电池带隙宽度从1.1 eV变化到1.5eV,模拟的最大效率为39.9％,有上转换器最大时效率提高到了47.4％.
关键词:
太阳电池
,
上转换
,
极限效率
,
基尔霍夫定律
苗丽燕
,
杨仕娥
,
李艳阳
,
陈永生
,
谷锦华
,
卢景霄
人工晶体学报
采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)软件模拟了p/i界面缺陷态密度(Npt/i)和非晶孵化层厚度(d)对pin型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池性能的影响.结果表明:随着Npt/i的增大,电池的开路电压Voc和填充因子FF单调减小,短路电流Jsc基本不变;随着d的增大,Jsc和FF单调减小,Voc反而增大;Npt/i和d值的增大均会导致电池光电转换效率η下降.通过对电池内部的电场及能带的分析,对上述模拟结果进行了解释.
关键词:
微晶硅薄膜电池
,
p/i界面
,
光电转换效率
张丽伟
,
赵新蕖
,
卢景霄
,
郜小勇
,
陈永生
,
靳瑞敏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.052
在多晶硅薄膜(Poly-Si)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜.借助于扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,对薄膜的表面形貌和断面形貌进行了分析.结果发现:(1)柱晶的形成对薄膜的厚度有一定要求,而且薄膜越厚,柱晶直径越容易长得更大.本实验中,薄膜厚度达到2.5μm左右时,柱晶直径达到了1.5μm以上;(2)再结晶过程是从靠近光源的薄膜表面开始进而到薄膜内部的.再次说明RTP中再结晶的发生,与光和物质的相互作用密切相关.
关键词:
SEM
,
RTP
,
柱晶
,
多晶硅薄膜
