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立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析

李志明 , 郝跃 , 张进成 , 陈炽 , 薛军帅 , 常永明 , 许晟瑞 , 毕志伟

人工晶体学报

在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中, 提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小.与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高.另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量.

关键词: MOCVD , 感应加热 , 热分析 , 基座

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