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非全裸氟离子与氦原子碰撞中的转移电离过程

于得洋 , 陈熙萌 , 杨治虎 , 吴翠娥 , 刘惠萍 , 祁中 , 卢荣春 , 王强 , 马新文 , 蔡晓红 , 刘兆远

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.013

采用位置灵敏探测和散射离子-反冲离子飞行时间测量技术, 测量了强相互作用区氟离子与氦原子碰撞中的转移电离截面与单电子俘获截面之比. 实验发现, 该比值随作用强度的增加而减小. 在本工作能区, 转移电离现象可视作一个电子被俘获、另一个电子被电离的两步过程; He原子二重电离的主要机制为两步机制.

关键词: 离子-原子碰撞 , 转移电离 , 电子俘获

非全裸氟离子与氖原子碰撞中的转移电离研究

于得洋 , 陈熙萌 , 杨治虎 , 王强 , 卢荣春 , 刘惠萍 , 祁中 , 吴翠娥 , 蔡晓红 , 马新文 , 刘兆远

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.02.025

采用位置灵敏探测和散射离子-反冲离子飞行时间技术测量了强相互作用区F2+ 和F3+离子与Ne原子碰撞中的转移电离截面与单电子俘获截面之比. 与Fq+-He实验结果进行了比较, 并进行了定性讨论.

关键词: 离子-原子碰撞 , 转移电离 , 电子俘获

D+离子束和自成型钛靶的作用特性研究

王博宇 , 向伟 , 戴晶怡 , 谈效华 , 程亮 , 陈磊 , 徐进章 , 陈熙萌 , 姚泽恩 , 郭志强

稀有金属材料与工程

利用ZF-300 keV中子发生器,采用伴随粒子法研究D<'+>离子束和自成型钛靶的中子产额随束流轰击时间的变化特性;利用X射线衍射分析和扫描电镜分别研究束流对靶物相结构和表面形貌的影响.结果表明,随D<'+>离子束的轰击和注入,中子产额随轰击时间的变化逐渐变大,中子产额达到最大值后又随轰击时间的变化逐渐变小;束流轰击前后靶表面无熔坑出现,随D<'+>离子束流的增大,靶表面的条纹状痕迹逐渐消失;D<'+>离子束的轰击未改变自成型钛靶的物相结构.基于离子与固体相互作用的数值模拟,分析讨论了D<'+>离子束和自成型钛靶的作用机制.

关键词: 中子发生器 , 自成型钛靶 , 中子产额 , 伴随粒子法

中低能质子致金属氘化物二次电子发射系数研究

陈佳林 , 黎明 , 王诗尧 , 邵剑雄 , 谈效华 , 金大志 , 向伟 , 崔莹 , 陈熙萌

稀有金属

测量了中低能质子致氘化钛和氘化锆二次电子发射系数.结果表明,20 nA/cm2束流下各二次电子发射系数与其电子能损近似成正比,比例因子∧较Sternglass理论值偏大约50%,表面吸附层影响二次电子发射系数.束流密度为7μA/cm2的100 keV质子束长时间测量时,二次电子发射系数γ和正比例因子∧在前100 s内快速下降并逐渐稳定至理论值.

关键词: 中低能质子 , 金属氘化物 , 二次电子发射系数

非全裸离子-原子碰撞中的多重电离研究

蔡晓红 , 马新文 , 刘惠萍 , 杨治虎 , 于得洋 , 陈熙萌 , 刘兆远 , 申自勇 , 吕魁

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.03.011

利用加速器提供的非全裸重离子束 (q=1-4) 轰击氦、氖和氩原子,研究了由非全裸离子引起原子多重电离的有效电荷效应和电荷交换效应. 提出用一个有效电荷来等价描述非全裸入射离子对靶原子的作用,将描述全裸离子-原子碰撞过程的物理模型推广到处理非全裸离子-原子碰撞过程,采用轨道贯穿模型对有效电荷的内在物理机制进行了解释,提出一种新的理论方法将多重电离中俄歇过程的贡献予以扣除. 通过研究发现,扣除俄歇过程贡献后,多重电离截面随入射离子q/v的变化与多步过程的预言相符.

关键词: 离子-原子碰撞 , 多重电离 , 截面

Li-和Na-单电子解离过程的研究

陈熙萌 , 吴翠娥 , 刘兆远 , 于得洋 , 祁中 , 王强 , 杨治虎 , 刘惠萍

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.02.024

采用交叉束方法, 利用负离子源产生的3-19 keV的Li-和Na-轰击惰性气体靶He, Ne和Ar, 通过静电偏转和位置灵敏探测器区分碰撞后中性粒子束和负离子束, 测量了不同碰撞系统的中性粒子计数与相应入射负离子计数的比值R(E), 并得到R(E)与入射负离子能量、负离子种类和靶原子种类的关系.

关键词: 交叉束 , 负离子解离 , 负离子-原子碰撞

低能质子辐照活体细胞的能量沉积特性

张宁 , 张鑫 , 闫学文 , 林崇楠 , 王广甫 , 邵剑雄 , 陈熙萌

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.33.03.353

为了研究带电粒子与活体细胞的相互作用,利用能量为2,2.5,3 MeV的质子外束,在室温环境下对厚约50 nm的氮化硅支持膜上的毕赤酵母菌进行辐照,并用金硅面垒探测器测量其透射能谱,通过对能量沉积特性的分析,表明质子外束穿过毕赤酵母菌后能损随入射能的增大而减小,但能量歧离随入射能的增大而增大。

关键词: 质子外束 , 活体细胞 , 氮化硅薄膜 , 能损

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