杨丽红
,
陈皓帆
材料科学与工艺
为使磁控溅射方法制备出性能良好的Cu/CuNi薄膜热电偶，在确定Cu、CuNi薄膜临界尺寸的基础上，以基底温度、靶基距、溅射功率、工作气压为因素进行正交试验，研究制备工艺对薄膜电阻率的影响。实验结果表明：基底温度是影响薄膜电阻率大小的最主要因素，在一定范围内，温度越高，电阻率越小；确定了使Cu、CuNi薄膜电阻率最小的工艺条件。以薄膜电导理论为基础，结合薄膜微观结构和表面形貌，解释了薄膜电阻率随基底温度变化的原因。
关键词:
薄膜热电偶
,
磁控溅射
,
临界尺寸
,
正交试验
,
电阻率
