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Fe81Ga19合金<001>取向单晶生长及磁致伸缩性能

陈立彪朱小溪李川刘敬华蒋成保徐惠彬

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00343

采用悬浮区熔法, 加入籽晶控制生长取向, 以4 mm/h的生长速度, 制备了轴向<001>择优取向的 Fe81Ga19单晶. 极图测试结果发现, 采用偏离轴向<001>方向约5o的籽晶生长得到的单晶, 生长始端和生长末端轴向取向分别偏离<001>取向5o和4o, 上下取向差仅为1o. 另一单晶采用轴向<001>取向籽晶生长得到, 当施加60 MPa压力时, 饱和磁致伸缩性能达到0.0324%. 测试了<100>, <110>和<111> 取向单晶的初始磁化曲线, 利用初始磁化曲线, 计算得出Fe81Ga19单晶的磁晶各向异性常数值K1K2, 分别为1.3×104和-2.6×104 J/m3.

关键词: Fe81Ga19单晶 , <001> orientation , magnetostriction , magnetocrystalline anisotropy

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