徐遵图
,
张敬明
,
马骁宇
,
刘素平
,
刘忠顺
,
方高瞻
,
肖建伟
,
陈良惠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.041
报道了915～980nm半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2～2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为70和230,组合件输出功率大于150mW.
关键词:
980nm
,
应变量子阱
,
激光器
何国荣
,
渠红伟
,
杨国华
,
郑婉华
,
陈良惠
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.015
Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少.采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算模型.利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度.实验及计算结果表明疏水处理表面550℃条件下键合晶片对有更低的表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的Ⅰ-Ⅴ特性.
关键词:
材料
,
界面态密度
,
热电子发射
,
键合
李玉璋
,
王国宏
,
马骁宇
,
曹青
,
王树堂
,
陈良惠
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.02.005
分析了AlGaInP材料的特点和AlGaInP高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出AlGaInP发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率.并利用LP-MOCVD技术制备了cd级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在605nm,FWHM为18.3nm,20mA工作电流下,5.08cm(2英寸)外延片管芯平均轴向发光强度为20mcd,最大30mcd,平均工作电压1.9V,透明峰值角度2θ1/2=15°时轴向发光强度达到1000mcd.
关键词:
AlGaInP
,
发光二极管
,
低压有机金属气相外延
