赵彦民
,
肖温
,
李微
,
杨立
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乔在祥
,
陈贵锋
人工晶体学报
分别在Al∶ ZnO(ZAO)薄膜和Mo薄膜两种不同衬底材料上,采用“三步法”共蒸发工艺沉积了约0.8 μm厚的CuGaSe2(CGS)薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究不同衬底材料对CGS薄膜的影响.在ZAO薄膜底电极上沉积的CGS薄膜的(112)衍射峰强度较Mo薄膜底电极上减弱,(220/204)衍射峰反而增强.
关键词:
宽带隙
,
铜镓硒
,
共蒸发
,
衬底
杨帅
,
邓晓冉
,
徐建萍
,
陈贵锋
,
闫文博
硅酸盐通报
本文利用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)及正电子湮没谱技术(PAS)对快中子辐照硅中的双空位(V2)的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350～450 ℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅中双空位主要通过捕获间隙氧或A中心(VO)形成V3O复合体而消失.
关键词:
辐照缺陷
,
硅
,
双空位
,
FTIR
杨帅
,
邓晓冉
,
徐建萍
,
陈贵锋
,
张辉
硅酸盐通报
本文通过红外吸收光谱技术研究了不同剂量快中子辐照直拉硅中空位氧缺陷(A中心)的退火行为.实验发现,经200℃热处理后样品中均会出现V2O (840 cm-1)和VO2 (919.6 cm-1)的红外吸收峰；当退火温度升高到400至450℃之间,在低剂量辐照样品(SL)的红外吸收光谱中会有较强的VO2 (889 cm-1)的吸收峰,而在高剂量辐照样品(SH)中则会有较强的V2O2(825 cm-1)和VO2(919.6 cm-1)的吸收峰.分析认为,在低剂量辐照样品中VO主要是通过与Oi结合形成稳定的VO2而消失；而在高剂量辐照条件下VO则是通过相互结合形成V2O2或与Oi结合形成VO2而消失.
关键词:
直拉硅
,
中子辐照
,
缺陷
,
A中心
陈贵锋
,
杨国琛
,
王永学
,
李微
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.04.009
用解析方法研究了电压作用下的沿面校列不对称向列液晶(NLC)盒.着重考虑了挠曲电效应的影响,导出了指向矢倾角θ满足的微分方程和边界条件,计算和讨论了阈值电压以及指向矢分布对盒中央平面对称性破缺参量△.提出了一种在给定阈值电压和盒厚时,可确定上、下基板锚定强度及挠曲电参量e(e=(e1+e3)/√κ11△ε)的新实验方法.
关键词:
液晶盒
,
弱锚定
,
挠曲电
,
阈值电压
,
对称性破缺
蔡莉莉
,
冯翠菊
,
陈贵锋
材料科学与工程学报
用能量为1.5MeV,剂量为1.8×1018 e/cm2的电子束辐照直拉硅单晶样品,通过傅里叶变换红外光谱技术(FTIS)研究了辐照后样品中VO2缺陷随退火温度的变化及其热稳定性.实验结果表明,辐照在样品中引入了VO2的亚稳态缺陷,其特征吸收峰在低温红外光谱中向高频方向移动,300℃热处理时该亚稳态缺陷转化为VO缺陷;400℃热处理样品中出现了VO2的稳态缺陷,450℃热处理该稳态缺陷的峰值强度达到最大,当退火温度达到550℃时,该稳态缺陷完全消失并转化为其它复杂的缺陷.这种稳态的VO2缺陷经历450℃长时间热处理表现出良好的热稳定性,而在500℃短时热处理后转化为其它缺陷.
关键词:
电子辐照
,
傅里叶变换红外光谱(FTIS)
,
亚稳态缺陷
,
VO2复合体
蔡莉莉
,
冯翠菊
,
陈贵锋
硅酸盐通报
对经过电子辐照的n型[111]晶向直拉硅样品在不同气氛下进行了热处理,对比研究了热处理气氛对电子辐照直拉硅中的缺陷形貌、间隙氧含量的变化以及清洁区的影响.实验结果表明,热处理气氛对辐照样品中的缺陷形貌影响较大:氩气氛下退火样品体内的缺陷以位错环为主而氮气氛下则主要是层错,并对此现象的机理进行了讨论;经历不同气氛快速预处理再进行高温一步退火后,辐照样品表面会产生一定宽度的清洁区,而氮气氛下清洁区宽度较窄;通过傅里叶变换红外光谱仪检测间隙氧含量的变化发现氮气氛下退火的样品间隙氧含量下降较多,说明氮气氛热处理更有利于氧沉淀的生成.
关键词:
电子辐照
,
氧沉淀
,
缺陷形貌
,
快速热处理(RTP)
,
清洁区(DZ)
蔡莉莉
,
冯翠菊
,
陈贵锋
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.01.015
对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化.结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加的越多,少子寿命下降越明显.对辐照样品进行不同温度热处理发现热处理温度低于600℃,少子寿命基本处于稳定值,当退火温度达到650℃时,辐照样品的电阻率与少子寿命均恢复至辐照前的初始值,表明在该温度下辐照引入的缺陷基本消除,因此晶体的导电能力逐渐恢复.而经750℃热处理后,辐照样品的少子寿命和电阻率分别出现一个低谷,辐照剂量越高电阻率和少子寿命值在该温度下下降幅度越大,而且随着热处理时间的延长,辐照样品电阻率不断下降,通过间隙氧含量的测量也初步证明电阻率的下降与间隙氧原子的偏聚有关,该温度下电阻率的下降与辐照相关联.
关键词:
电子辐照
,
少子寿命
,
辐照缺陷
,
电阻率
杨帅
,
陈贵锋
,
王永
硅酸盐通报
利用Fourier变换红外光谱技术研究了高剂量快中子辐照直拉单晶硅中的辐照缺陷.研究表明,当中子剂量超过1018n·cm-2,在硅晶体会引入大量的非晶区和少量的非晶层(由连续的非晶区组成),分别在FTIR光谱中引入485和529.2 cm-1两个吸收带.退火实验表明,非晶区(485 cm-1)经150℃热处理后开始再结晶,有效的退火温度约为300℃;非晶层(529.2 cm-1)经300℃热处理后开始再结晶,有效的退火温度为500℃左右.
关键词:
直拉硅
,
中子辐照
,
非晶区
,
空位型缺陷
