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MBE法生长ZnO纳米线阵列的结构和光学性能

郑志远 , 陈铁锌 , 曹亮 , 韩玉岩 , 徐法强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00301

在氧等离子体辅助的MBE系统中, 以1 nm厚的Au薄膜为催化剂, 基于气?液?固(VLS)机制实现了低温ZnO纳米线阵列在Si(111)衬底表面的生长. 通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)可以观察到, ZnO纳米线阵列垂直生长在衬底上, 直径为20~30 nm. X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)结果表明: ZnO纳米线为六方纤锌矿结构, 具有沿c轴方向的择优取向. 光致发光(PL)谱显示在380 nm附近有强烈ZnO本征发射峰, 475~650 nm可见光区域有较强的缺陷导致的发射峰.

关键词: ZnO , nanowire , MBE , VLS

MBE法生长ZnO纳米线阵列的结构和光学性能

郑志远 , 陈铁锌 , 曹亮 , 韩玉岩 , 徐法强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00301

在氧等离子体辅助的MBE系统中,以1 nm厚的Au薄膜为催化剂,基于气-液-固(VLS)机制实现了低温ZnO纳米线阵列在Si(111)衬底表面的生长.通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)可以观察到,ZnO纳米线阵列垂直生长在衬底上,直径为20~30 nm.X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)结果表明:ZnO纳米线为六方纤锌矿结构,具有沿c轴方向的择优取向.光致发光(PL)谱显示在380 nm附近有强烈ZnO本征发射峰,475~650 nm可见光区域有较强的缺陷导致的发射峰.

关键词: ZnO , 纳米线 , 分子束外延 , VLS

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