杨瑞东
,
陈寒娴
,
邓荣斌
,
孔令德
,
陶东平
,
王茺
,
杨宇
功能材料
采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品.使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜.
关键词:
Ge/Si纳米多层膜
,
埋层
,
纳米晶粒
杨杰
,
王茺
,
欧阳焜
,
陶东平
,
杨宇
人工晶体学报
采用离子束溅射技术生长了一系列Ge/Si多层膜,研究了沉积温度和生长停顿对Ge/Si多层膜结晶性和界面结构的影响.通过对Raman峰峰位、峰强度比值和X射线小角衍射等方面的研究,发现综合控制沉积温度和生长停顿能够得到结晶性和界面都相对理想的多层膜.这为改善Ge/Si多层膜的离子束溅射生长提供了一种有效的方法.
关键词:
离子束溅射
,
Ge/Si多层膜
,
沉积温度
,
生长停顿
侯彦青
,
谢刚
,
陶东平
,
俞小花
,
田林
,
杨妮
材料导报
阐述了挥发性硅化物还原或分解法和冶金级硅精炼法生产太阳能级多晶硅的生产工艺.目前生产多晶硅的主要方法是改良的西门子法,但该方法在降低生产成本上显得力不从心.冶金级硅精炼法是一种制备低成本太阳能级多晶硅的方法,然而该方法不能有效地去除B和P,只能选择B和P含量很少的冶金级硅为原料制备多晶硅.锌还原法是生产低成本太阳能级多晶硅的优势方法,分析表明锌还原法与西门子法相结合不失为生产多晶硅的好方法.
关键词:
多晶硅
,
太阳能级
,
锌还原法
,
冶金级硅精炼法
侯彦青
,
谢刚
,
陶东平
,
俞小花
,
李荣兴
,
宋东明
中国有色金属学报
应用有关热力学数据研究了与多晶硅主要生产工艺即西门子法相关的“Si-Cl-H”三元系的复杂化学反应,研究SiCl4氢化转化为SiHCl3过程中可能发生的15个反应,给出15个反应的ΔGθm -T图；并确定5个独立的反应,给出这5个独立反应的KθP -T图;高温时主反应(1)的Kp增长较慢,而反应(2)和(5)的KθP快速增大,1 373K时,主反应(1)的KθP较小,为0.157 1.进一步研究温度、压强和进料配比nH2/nsicl4对SiCl4氢化率的影响,并绘制出SiCl4氢化率随这些因素的变化曲线.结果表明:当压强和进料配比一定时,SiCl4的氢化率随温度的升高先增加后降低;增大压强或增加进料配比nH2/nsiCl4都会提高SiCl4的氢化率;SiCl4氢化转化为SiHCl3过程的最佳操作条件为温度为1 000℃,压强为0.3 MPa,进料配比nH,/nSiCl4为4,在此条件下,SiCl4的氢化率为25.78％.
关键词:
SiCl4
,
SiHCl3
,
热力学
,
转化
杨杰
,
王茺
,
陶东平
,
杨宇
功能材料
采用离子束溅射技术,在斜切的单晶Si基底上生长了高密度的小尺寸Ge纳米点。系统研究了斜切基底上的表面台阶对Ge纳米点生长初期表面原子吸附行为的影响,以及斜切基片上Ge纳米点随原子沉积量的演变规律。实验结果表明,在斜切基片上原子级的表面台阶能有效地抑制吸附原子的表面扩散。因此,有利于Ge纳米点的形核,并抑制纳米点的过度长大,从而获得高密度、小尺寸的Ge纳米点。
关键词:
Ge纳米点
,
离子束溅射
,
斜切基片
杨杰
,
王茺
,
陶东平
,
杨宇
功能材料
采用离子束溅射技术在Si基底上自组织生长了一系列Ge量子点样品,研究了束流密度对Ge/Si量子点的尺寸分布和形貌演变的影响。原子力显微镜测试结果表明,随着束流密度的增加,量子点的面密度持续增大,其尺寸不断减小,量子点的形貌由圆顶形转变为过渡圆顶形。计算直径标准偏差的结果表明,当束流密度为0.86mA/cm2时,量子点的尺寸均匀性最佳。束流密度与沉积速率成正比,影响着表面吸附原子与其它原子相遇而形成晶核的能力。
关键词:
离子束溅射沉积
,
Ge/Si量子点
,
束流密度
,
原子力显微镜
陶东平
金属学报
根据Mandelbrot的分形几何概念,建立了流体在粗糙表面进行化学反应的动力学模型.该模型的无量纲表达式为1-(1-X)1-βDs/3=t/t1,式中x为转化率,β为浓度级数,Ds为分形维数,t1为完全化学反应时间.该模型适用于描述焦炭气化反应速率过程,相应的表观激活能为54.814 kJ/moL与传统的收缩核模型相比,分形模型与实验数据的符合程度更好、物理意义更清晰.传统的收缩核模型只是分形模型在规整几何条件下的特殊形式.
关键词:
动力学
,
null
,
null
,
null
,
null
周兰花
,
陶东平
,
方民宪
,
曾富洪
,
蒲霞
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.03.024
采用回归正交法设计实验,在实验审用电阻炉模拟转底炉工艺研究了温度、时间、配碳量、金属粉配比和钠盐配比等因素对钒钛磁铁矿碳热还原过程中的金属化率和失氧率的影响.对试验结果回归,建立了金属化率、失氧率与因素间的关系模型,并解决和验证了各因素的优化解.结果表明,添加金属粉和钠盐后钒钛磁铁矿还原温度明显降低;添加2.5%金属粉和0.5%钠盐,还原温度在1280℃左右,还原时间30 min左右,配碳量22.7%时,钒钛磁铁矿还原的金属化率可达到95%以上.
关键词:
钒钛磁铁矿
,
碳热还原
,
回归正交
,
金属化率
米丰毅
,
王向东
,
汪兵
,
陈小平
,
彭云
,
陶东平
材料保护
稀土碳钢经大气暴晒后,表面形成的锈层对基体有一定的保护作用.为了弄清稀土实际发挥的作用,在低碳钢中熔入了稀土并与低碳钢一起置于有酸雨特征的江津大气站进行暴晒试验,应用自腐蚀电位测量、极化曲线、电化学阻抗谱(EIS)和扫描电镜等手段研究了稀土对低碳钢耐工业大气腐蚀性的影响.结果表明:钢中加入稀土后自腐蚀电位正移,阳极电流密度减小,稀土钢锈层趋于钝化;且随稀土含量增加,钢的锈层电阻和电荷传输电阻均呈上升趋势.
关键词:
腐蚀
,
低碳钢
,
工业大气
,
稀土
,
极化曲线
,
电化学阻抗谱
