涂楚辙
,
江从春
,
贾振红
,
陶明德
,
宋世庚
功能材料
研究了在制备多孔硅过程中影响其孔隙率的各种因素,给出了氢氟酸浓度、腐蚀时间、阳极腐蚀电流、温度及光照度与多孔硅孔隙率的关系,同时研究了多孔硅的晶格常数随其孔隙率变化的规律,并对以上各项结果作出了初步解释.
关键词:
多孔硅
,
孔隙率
,
影响
康雪雅
,
常爱民
,
韩英
,
王天雕
,
陶明德
,
涂铭旌
无机材料学报
对用纳米粉体制备的ZnO压敏生坯进行了微波烧结，通过XRD、SEM分析和电性能测试，与普通烧结比较，微波烧结可使ZnO压敏材料快速成瓷，显著缩短烧结时间；在相同晶粒尺寸下，微波烧结温度更低，瓷体更致密；并能获得较好电性能．微波烧结为ZnO压敏陶瓷材料制备提供了一条新的、高效节能的途径．
关键词:
微波烧结
,
null
,
null
,
null
康雪雅
,
宋世庚
,
韩英
,
涂铭旌
,
陶明德
材料研究学报
用sol-gel方法制备掺杂的ZnO纳米粉体分析讨论了这种粉体对材料显微结构,材料电学特性如非线性系数,压敏电压和介电特性的影响。与传统方法制成的粉体相比,sol-gel方法制成的纳米粉体具有掺杂均匀,晶粒尺寸分布均匀,其电学特性得到较大提高。
关键词:
ZnO纳米粉
,
null
,
null
,
null
沈良
,
宋世庚
,
贾锐
,
陶明德
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2000.03.006
以钛酸四丁酯和乙酸钡为主要原料,以乙二醇独甲醚为溶剂,采用溶胶凝胶法成功地配制出了BaTiO3溶胶,溶胶清晰稳定,保存时间长.并用XRD分析了沉积在Si(100)低阻硅片上的薄膜的结构,发现薄膜在600℃时结晶状态已良好.文中同时对薄膜的介电性质进行研究,并讨论了退火温度对薄膜介电性质的影响.
关键词:
BaTiO3薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
介电性质
贾素兰
,
陈朝阳
,
陶明德
,
丛秀云
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.04.004
研究了Mn - Co -O体系通过掺入适量ZnO,采用最佳的烧结温度,可制备低阻高B型NTCR(负温度系数热敏电阻),并通过XRD、SEM研究了样品Mn1.14 Co1.83 Zn0.03 O4在不同烧结温度下的微观结构和电学特性.结果表明:Mn - Co - Zn -O体系在T=1100～1200℃很宽的温度范围可只存在尖晶石结构,同时具有高的激活能.样品Mn1.14Co1.83Zn0.03O4在烧结温度T=1100℃时存在最小电阻率,而B仍保持在4046K左右.因此,由其制成的单层片式NTCR可替代某些具有内电极的叠层器件.
关键词:
NTC热敏电阻
,
低阻高B
,
单层片式
董茂进
,
陈朝阳
,
范艳伟
,
丛秀云
,
王军华
,
陶明德
功能材料
为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法,对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂,得到对温度敏感的补偿硅材料,并对其进行测试和分析.掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其导电类型仍为n型,且电阻率较低,为欠补偿,测试结果表明其常温电阻率ρ25=64～416Ω·cm,温度敏感系数(B值)在5300K左右;根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值,与实验值基本一致.
关键词:
双重掺杂
,
深能级杂质
,
Au
,
Ni
,
热敏特性
刘树英
,
周东祥
,
康健
,
陶明德
无机材料学报
通过对LaCrO3和NiMn2O4及其复合材料的大量的稳定性试验考察，发现复合材料的稳定性显著优于单相材料．本文应用缺陷化学理论对单相材料老化过程中阻值变化的原因进行了分析，分析表明：老化过程中由于瓷体表面及气孔内吸附的氧逐渐扩散到体内，使氧空位浓度减小，从而使p型半导瓷LaCrO3阻值缓慢减小，而使n型半导瓷NiMn2O4的阻值缓慢增大，解释了复合材料优异的耐高温特性是由于复合材料的补偿效应．
关键词:
复合电子陶瓷
,
stability
,
defect chemistry
