孟兆祥
,
于广辉
,
叶好华
,
雷本亮
,
李存才
,
齐鸣
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.022
建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化.材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec.
关键词:
GaN
,
HVPE
,
流体动力学
王笑龙
,
于广辉
,
雷本亮
,
隋妍萍
,
孟胜
,
齐鸣
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.001
介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺.用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料.孔的大小和孔间距可以通过改变阳极氧化条件来控制,改变刻蚀时间可以控制孔深.刻蚀所用气体为氯气和惰性气体的混合物.扫描电镜照片显示,掩模图形能够很好地转移到GaN材料上.刻蚀后的材料经光荧光谱(PL Spectra)谱和Raman散射谱测试,显示出良好的光学特性,并在一定程度上释放了应力.
关键词:
氮化镓
,
纳米孔
,
阳极氧化铝
,
ICP刻蚀
,
Raman
雷本亮
,
于广辉
,
孟胜
,
齐鸣
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.010
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜.采用扫描电镜观察了氮化镓膜的界面性质并用阴极发光谱表征了截面上氮化镓层在不同位置的的发光性质,发现随着厚度的增加,其发光特性得到改善,而且由于掩膜结构的引入,外延膜中的压应力得到一定程度的释放.
关键词:
氮化镓
,
氢化物气相外延
,
阳极氧化铝
