张明福
,
张海亮
,
郭怀新
,
韩杰才
,
杨海
,
霍承松
,
黎建明
材料导报
蓝宝石窗罩在气动热效应作用下易产生破裂,使其结构/功能失效.提高蓝宝石高温强度可有效抑制其高温断裂行为.结合国内外研究成果,从蓝宝石高温失效机理、蓝宝石高温强度表征新方法和蓝宝石强化方法等方面,综合评述了蓝宝石强化研究领域的最新成果,其中重点介绍了蓝宝石强化的研究进展,最后指出了我国蓝宝石强化研究的努力方向.
关键词:
蓝宝石
,
失效机理
,
强化
,
进展
付利刚
,
苏小平
,
余怀之
,
霍承松
,
宋睿丰
,
石红春
,
鲁泥藕
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.011
对化学气相沉积(CVD)ZnS经热等静压(HIP)处理前后在光学透过率等方面的改变进行了比较分析. 针对温度、原生样品厚度等因素对样品性能的影响做了详细阐述. 实验表明, 热等静压对原生CVDZnS光学性能有促进作用, 随处理温度的升高, 透过率在1010～1050℃之间出现峰值; 原生样品厚度的影响不容忽视, 导热均匀的薄样品晶粒均匀且尺寸较大, 光学及力学性能要好于厚样品.
关键词:
化学气相沉积ZnS(CVD)
,
热等静压(HIP)
,
透过率
石红春
,
朱时珍
,
鲁泥藕
,
霍承松
,
赵永田
,
杨海
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.05.032
CVDZnSe是目前光学性能最好的红外光学材料之一.但在制备CVDZnSe时, 尾气中未反应完全的剧毒硒化氢气体, 对操作人员及环境的危害很大.采用逆流填料塔来吸收CVD方法制备ZnSe系统中的剧毒尾气硒化氢.为加快传质速率, 提高吸收率, 选用NaOH溶液作吸收液;利用H2Se气体与此溶液反应, 降低气体在水溶液中的浓度, 加大传质推动力;选择了具有高效分离因子的填料以减小塔身的高度和直径.并且对循环吸收液进行氧化, 双重过滤等处理.最后用型号为TX-FMD的H2Se检测仪测量处理后的尾气中H2Se气体的含量, 达到排放要求.
关键词:
H2Se气体
,
逆流填料塔
,
化学吸收
,
传质
付利刚
,
霍承松
,
张福昌
,
魏乃光
,
王学武
,
吕反修
人工晶体学报
本文系统研究了沉积温度、压力、Zn/H2S、以及衬底表面粗糙度对起拱的影响.实验表明,适当的提高沉积温度(650 ℃)和降低沉积压力(1.5×104 Pa)有利于抑制沉积起拱;当Zn/H2S<1时起拱减弱,但透过率下降,可在沉积的初期采用低的Zn/H2S抑制起拱;由于表面阴影和钉扎效应,相对粗糙的衬底表面有更好的抑制起拱效果.
关键词:
起拱
,
沉积温度
,
沉积压力
,
衬底表面粗糙度
鲁泥藕
,
余怀之
,
霍承松
,
汪飞琴
,
石红春
功能材料
比较了四种适用于作CO2激光器窗口的材料,Ge、KCl、GaAs和ZnSe,指出ZnSe是大功率激光器最理想的窗口材料,并列举了3种ZnSe的制备原理及方法,阐述了CVD方法制备多晶ZnSe的过程.
关键词:
窗口材料
,
透过率
,
ZnSe
,
化学气相沉积
宋睿丰
,
余怀之
,
霍承松
无机材料学报
采用红外、紫外光谱仪对热等静压（HIP）处理前后CVDZnS的光学透过率进行了测量,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVDZnS和经热等静压（HIP）处理的CVDZnS的显微组织和晶体结构进行了分析.根据热等静压（HIP）处理前后CVDZnS光学透过率和材料内部显微结构的不同分析了热等静压过程造成CVDZnS光学性能提高的原因.研究表明:热等静压过程使得CVDZnS的晶粒尺寸有了很大提高,并且消除了原生CVDZnS在生长过程中形成的晶体缺陷,从而减小了原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒边界造成的散射损失,使得CVDZnS的光学透过率,尤其是在可见光及近红外波段,有了较大的提高.
关键词:
CVDZnS
,
heat isostatic process（HIP）
,
transmittance
,
X-ray diffraction
汪飞琴
,
苏小平
,
霍承松
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.06.004
介绍了采用化学气相沉积(CVD)技术制备ZnS的原理及特点,提出用气体流形模拟研究目前生长过程中沉积厚度均匀性、长时间沉积稳定性以及重复性等问题.选择了合适的描述沉积室内气体运动的流体力学和表面反应动力学模型,利用流体力学的偏微分方程组(Navier-Stokes方程组),通过数值计算,得到沉积室内的速度场及流动场的模拟结果.比较可得在一定流速比下,采用环形主气流及横截面小的沉积室,可大大提高沉积室纵向生长均匀性.
关键词:
化学气相沉积
,
ZnS
,
流体动力学模拟
,
流动场
宋睿丰
,
余怀之
,
霍承松
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.039
采用红外、紫外光谱仪对热等静压(HIP)处理前后CVDZnS的光学透过率进行了测量,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVDZnS和经热等静压(HIP)处理的CVDZnS的显微组织和晶体结构进行了分析.根据热等静压(HIP)处理前后CVDZnS光学透过率和材料内部显微结构的不同分析了热等静压过程造成CVDZnS光学性能提高的原因.研究表明:热等静压过程使得CVDZnS的晶粒尺寸有了很大提高,并且消除了原生CVDZnS在生长过程中形成的晶体缺陷,从而减小了原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒边界造成的散射损失,使得CVDZnS的光学透过率,尤其是在可见光及近红外波段,有了较大的提高.
关键词:
CVDZnS
,
热等静压
,
光学透过率
,
X射线衍射
