张云龙
,
胡明
,
宋晓刚
,
张瑞霞
,
鞠成
,
李海涛
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2011.01.014
利用Al2O3和La2O3作为烧结助剂,在1 950 ℃下用液相烧结技术成功制备SiC陶瓷,并在800℃下对该液相烧结SiC陶瓷进行氧化处理.用XRD、SEM等手段分析SiC陶瓷表面氧化产物相组成和微观结构的演变,并探讨SiC陶瓷氧化动力学规律.研究发现,SiC陶瓷氧化动力学曲线遵循抛物线规律,随着氧化时间增加,其氧化速率开始时迅速上升,其后降低,逐渐趋于平缓.
关键词:
液相烧结
,
碳化硅陶瓷
,
抗氧化性
,
质量损失行为
