韦文生
,
张春熹
,
周克足
,
王天民
材料导报
以硅基光电集成回路为主线,综述了不同的硅基光波导材料的制备技术和硅基光波导的制作工艺及其对光传输损耗的影响.分析了硅基光波导与锗硅光探测器集成用两种不同的耦合方式,阐明了波导与探测器集成的机理及设计理论基础.归纳出硅基键合激光器的四种技术方案,指出其共同优点是克服材料异质外延引起的晶格失配和热膨胀非共容,对实现OEIC行之有效.
关键词:
硅
,
光波导材料
,
硅基集成光学器件
韦文生
,
王天民
,
张春熹
,
李国华
,
韩和相
,
丁琨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.010
测试了采用 PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力.利用 XRD、 Raman、AFM、HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了 nc-Si:H薄膜的内应力.结果表明: nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺.压应力随掺杂浓度的提高而增加;在一定功率密度范围内掺磷 nc-Si:H薄膜的压应力随功率密度增加而减少,并过渡为张应力;在 373-523K之间,掺硼 nc-Si:H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加;nc-Si:H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化.
关键词:
nc-Si:H薄膜
,
微结构
,
内应力
韦文生
,
徐刚毅
,
王天民
,
张春熹
材料导报
介绍了氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜在电子学器件和光电转换器件(如隧道二极管、异质结二极管、变容二极管、单电子晶体管、太阳能电池、发光二极管)等方面的研究进展,分析了这些器件的性能与nc-Si:H薄膜结构之间的关系,阐述了新型器件的优点.
关键词:
nc-Si:H薄膜
,
隧道二极管
,
异质结二极管
,
变容二极管
,
太阳能电池
,
单电子晶体管
,
发光二极管
韦文生
,
戴瑜兴
,
张正江
,
李晶
材料导报
剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案.探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术.比较了硅FRD与碳化硅FRD的实际应用效果,发现前者的反向及动态特性均落后于后者的性能,后者特别适合于高频、高电压、大功率技术领域的应用.
关键词:
快速恢复二极管
,
发射率控制
,
少子寿命控制
,
硅
,
碳化硅
韦文生
,
王天民
,
张春熹
,
李国华
,
韩和相
,
丁琨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.006
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 nc- Si)有择优生长的趋势.用 HRTEM、 XRD、 Raman等方 法研究掺硼 nc- Si:H薄膜的微观结构时发现: 掺硼 nc- Si:H薄膜的 XRD只有一个峰, 峰位在 2θ≈ 47o,晶面指数为( 220),属于金刚石结构.用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析掺 硼 nc- Si:H薄膜择优生长的原因是:适当的电场作用引起序参量改变,导致薄膜在适当的自由能 范围内 nc- Si的晶面择优生长.随着掺硼浓度的增加, nc- Si:H薄膜的晶态率降低并逐步非晶化. nc- Si随硅烷的稀释比增加而长大,但晶态率降低. nc- Si随衬底温度升高而长大,晶态率提高. nc- Si随射频功率密度的增大而长大,晶态率增大的趋势平缓.但未发现掺硼浓度、稀释比、衬底 温度、射频功率密度的变化引起薄膜中 nc- Si晶面的择优生长.
关键词:
nc-Si:H薄膜
,
掺硼
,
纳米硅晶粒
,
择优生长
,
电场
