吴洁君
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韩修训
,
李杰民
,
黎大兵
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魏宏远
,
康亭亭
,
王晓晖
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刘祥林
,
王占国
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.018
本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间.
关键词:
缓冲层厚度
,
GaN
,
蓝宝石衬底
,
MOCVD
董琛
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韩修训
,
孙文华
,
高欣
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.015.003
GaInAsN能与GaAs、Ge等重要衬底晶格匹配，并同时满足三结或四结太阳能电池的带隙要求，因而备受瞩目。但目前制备高质量的GaInAsN材料仍十分困难，主要原因在于N在GaInAs中的固溶度特别低，难以实现均匀并入，由此产生的N缺陷很大程度上降低了该材料体系的光电性能。总结了近年来GaInAsN薄膜材料应用于太阳能电池的研究进展，介绍了GaInAsN材料体系的研究历程和基本物理特性，分析了GaInAsN材料体系存在的关键问题，讨论了目前优化GaInAsN薄膜质量和太阳能电池性能的方法。在此基础之上，对GaInAsN光伏材料的研究发展趋势做了展望。
关键词:
GaInAsN
,
外延生长
,
太阳能电池
