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郑安生 , 钱嘉裕 , 韩庆斌 , 邓志杰
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.015
介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 的发展现状;欲生长大直径、高质量单晶,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究.目前,全世界Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约5亿美元.
关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体 , 单晶生长 , 位错
