王雪涛
,
关庆丰
,
顾倩倩
,
彭冬晋
,
李艳
,
陈波
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01313
为了研究超快变形诱发的非金属材料的微观结构状态, 利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对单晶硅进行了辐照处理, 并用透射电镜对电子束诱发的表层微观结构进行了分析. 实验结果表明, HCPEB辐照后单晶Si表层形成了丰富的缺陷结构, 互相平行的螺位错和外禀层错是辐照后最为典型的缺陷结构; 同时HCPEB辐照还诱发了密度很高的包括位错圈和SFT在内空位簇缺陷, 幅值极大和应变速率极高的表面应力导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因. 此外, HCPEB处理可在单晶Si表面形成纳米和非晶混合结构.
关键词:
强流脉冲电子束
,
single-crystal silicon
,
structure defects
,
vacancy clusters
王雪涛
,
关庆丰
,
顾倩倩
,
彭冬晋
,
李艳
,
陈波
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01313
为了研究超快变形诱发的非金属材料的微观结构状态,利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对单晶硅进行了辐照处理,并用透射电镜对电子束诱发的表层微观结构进行了分析.实验结果表明,HCPEB辐照后单晶Si表层形成了丰富的缺陷结构,互相平行的螺何错和外禀层错是辐照后最为典型的缺陷结构;同时HCPEB辐照还诱发了密度很高的包括位错圈和SFT在内空位簇缺陷,幅值极大和应变速率极高的表面应力导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因.此外,HCPEB处理可在单晶Si表面形成纳米和非品混合结构.
关键词:
强流脉冲电子束
,
单晶硅
,
结构缺陷
,
空位簇
吕晓宁
,
陈云逸
,
王军
,
顾倩倩
,
刘倩文
膜科学与技术
doi:10.16159/j.cnki.issn1007-8924.2016.03.009
采用非溶剂致相分离法制备了氯化聚氯乙烯(CPVC)膜,考察了铸膜液的聚合物含量与温度、凝胶浴温度与凝胶浴中溶剂含量对CPVC膜微观结构及其性能影响.结果表明,铸膜液的聚合物含量与温度、凝胶浴中溶剂质量分数在60％以下及凝胶浴温度为20℃以下时,CPVC膜的断面均为致密皮层、指状孔及大孔支撑层构成的非对称膜;凝胶浴中溶剂质量分数达到80％及凝胶浴温度在30℃以上时,CPVC膜断面变为多孔皮层和海绵状结构构成的非对称膜,在所研究范围内,CPVC膜对牛血清蛋白(BSA)的截留率在87％以上,膜的水通量范围为111～1 287.89 L/(m2·h).与文献比较,CPVC膜的过滤性能及机械性能均远优于聚氯乙烯(PVC)膜.
关键词:
氯化聚氯乙烯
,
微观结构
,
膜性能
,
铸膜工艺条件
