颜钟惠
,
王瑶
,
吴国栋
,
轩瑞杰
,
李想
材料导报
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备微孔SiO2薄膜并将其作为栅介质,制作了基于微孔SiO2栅介质层的透明氧化物薄膜晶体管.利用场发射扫描电镜、阻抗分析仪以及半导体分析仪对样品进行表征.结果表明,微孔SiO2栅介质具有双电层效应,这种微孔SiO2栅介质透明氧化物薄膜晶体管器件具有工作电压低,开关电流比大,透光性高,稳定性强等良好性能.
关键词:
微孔SiO2
,
双电层效应
,
透明氧化物
,
薄膜晶体管
李想
,
颜钟惠
,
刘阳辉
,
竺立强
材料导报
以三甲基铝(TMA)和水为反应源,采用原子层沉积(ALD)技术在n型单晶硅表面沉积15 nm、30 nm和100 nm的Al2O3薄膜,并对样品进行快速退火(RTA)处理.采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命,获得了表面复合速率(SRV),通过X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的化学成分,在此基础上研究了薄膜厚度及退火条件对钝化效果的影响,并分析了钝化机理.结果表明:ALD技术制备的Al2O3薄膜经退火后可使n型单晶硅SRV值降低到7 cm/s,表面钝化效果显著.
关键词:
太阳能电池
,
晶体硅钝化
,
原子层沉积
,
Al2O3薄膜
