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GaAsFET的表面漏电

李效白 , 马农农 , 侯晓远

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.011

GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半 导体器件和电路的性能有重要的影响. Na+沾污 GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化 GaAs 场效应管大幅度减少了表面态.本文详细介绍本研究组在 GaAsFET表面漏电的研究进展.

关键词: 砷化镓场效应管 , 击穿电压 , 漏电 , Na+沾污 , 硫钝化