夏士兴
,
杨春晖
,
朱崇强
,
马天慧
,
王猛
,
雷作涛
,
徐斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029
采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体, 晶体毛坯尺寸达直径20mm×90mm, 选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品. 从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性. 实验结果显示: 晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大, 表明晶体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小, 这是由于晶体内缺陷密度发生了改变, 且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡, 进而导致晶体的近红外吸收产生差异. 理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷和受主缺陷的吸收光谱. 计算结果表明: 受主缺陷对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷.
关键词:
磷化锗锌
,
near infrared absorption
,
defects density
,
donor defects
,
acceptor defects
夏士兴
,
杨春晖
,
朱崇强
,
马天慧
,
王猛
,
雷作涛
,
徐斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029
采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,品体毛坯尺寸达Ф20mm×90mm,选取品体尾部、品体中部、籽品端三个部位厚度为4.0mm的抛光品片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大,表明品体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小,这是由于晶体内缺陷密度发生了改变,且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡,进而导致晶体的近红外吸收产生差异.理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷Ge+Zn和受主缺陷V-Zn的吸收光谱.计算结果表明:受主缺陷V-Zn对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施丰缺陷Ge+Zn.
关键词:
磷化锗锌
,
近红外吸收
,
缺陷密度
,
施主缺陷
,
受主缺陷
马天慧
,
贾林艳
,
任玉兰
,
尹永一
,
董维广
,
吕孝江
人工晶体学报
采用水热法设计并合成了一个新颖的超分子网络化合物[Mn(phen)_2I_2],并对其进行了元素分析,红外光谱分析和X-射线单晶衍射分析.结果表明:该化合物属三斜晶系, P_1~-空间群,晶胞参数为:a=0.92705(19) nm,b=1.0370(2) nm,c=1.2775(3) nm,α=77.32(3) °,β=81.26 (3) °,γ=70.30(3) °,V=1.1240(4) nm~3,Z= 2.该化合物通过四种C-H...I氢键相互作用与两种π-π堆积相互作用把各个独立的结构单元连接成了超分子网络化合物.
关键词:
水热合成
,
配位键
,
氢键
,
π-π堆积作用
马天慧
,
杨春晖
,
孙亮
,
徐超
,
陈玉峰
材料科学与工艺
为了获得高纯单相LiGaS2多晶原料,采用LiGa与S化合法合成LiGaS2,并与传统的单质直接合成法相对比.利用垂直长石英管作为反应器,采用X射线衍射和Raman光谱对其结构进行表征,同时利用差热–热重分析和紫外光谱对其热性能和光学性能进行研究.研究表明：采用LiGa与S化合法可以获得单相、均一的LiGaS2多晶材料;LiGaS2中的Li–S键平均力常数为fLi-S=16.0 N/m,Ga–S键平均力常数为fGa-S=39.6 N/m;LiGaS2多晶料的熔点为1 020℃,温度低于1 100℃,样品很稳定,没有分解现象;白色样品、黄色样品和灰色样品的紫外吸收边分别为323,435和496 nm.
关键词:
合成
,
正交结构
,
硫化镓锂
,
Raman光谱
朱崇强
,
杨春晖
,
王猛
,
夏士兴
,
马天慧
,
吕维强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01089
ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料. 晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展. 本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况. 首先, 利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷. 主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷V0P和Ge+Zn, 其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.02±0.03)eV, E(V0P)=EV+(1.61±0.06)eV和E(Ge+Zn)=EV+(1.70±0.03)eV. 对晶体作了电子照射及高温退火等处理后, 又分别发现了两种缺陷V 3-Ge和VPi. 其次, 利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷. 主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致, 但由于理论模拟与实际情况还存在差距, 有些计算结果与实验结果相矛盾. 因此, 将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.
关键词:
ZnGeP2晶体
,
electron paramagnetic resonance
,
acceptors
,
donors
,
density
朱崇强
,
杨春晖
,
王猛
,
夏士兴
,
马天慧
,
吕维强
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.001
ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷VOP和Ge+Zn,其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.024±0.03)eV,E(VOP)=EV+(1.61±0.06)eV和E(Ge+Zn)=EV+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V3-Ge和Vpi.其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.
关键词:
ZnGePz晶体
,
电子顺磁共振
,
受主缺陷
,
施主缺陷
,
密度泛函理论
