欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(56)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

Cf/Si-O-C复杂形状应用构件的制备

马青松 , 陈朝辉 , 郑文伟 , 胡海峰

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2001.12.011

结合树脂传递模塑(RTM)和先驱体浸渍裂解技术,以聚硅氧烷(PSO)为先驱体,制备出复杂形状的C r/Si-O-C陶瓷基复合材料应用构件.根据RTM的工艺要求,研究了二乙烯基苯(DVB)/PSO的交联和裂解,DVB/PSO粘度与温度和时间的关系,DVB/PSO与碳纤维的润湿性以及用作脱模剂的TiO2薄膜的制备.

关键词: Cr/Si-O-C复合材料 , 树脂传递模塑 , 聚硅氧烷

基体对PIP法制备2D Cf/SiC材料抗氧化性能的影响

刘静宇 , 简科 , 陈朝辉 , 马青松

稀有金属材料与工程

以3k JC1#纤维布为增强体,以聚碳硅烷为先驱体,采用先驱体转化工艺制备了2D Cf/SiC复合材料,考察了基体结构对材料抗氧化性能的影响.结果表明,先驱体转化2D Cf/SiC复合材料的抗氧化性能主要与材料基体中的游离碳含量及孔隙率有关,基体中游离碳含量和孔隙率越高,材料的抗氧化性能越差.通过减少基体中的孔隙率和游离碳含量,可以制备抗氧化性能较好的2D Cf/SiC复合材料,在1300℃,马弗炉中氧化20 min后,材料的失重率仅为2.2%,弯曲强度和断裂韧性保留率达到83.6%和80.9%.

关键词: 2D Cf/SiC复合材料 , 抗氧化性能 , 基体 , 孔隙率 , 碳含量

聚硅氧烷转化Si-O-C陶瓷的电阻率

马青松 , 陈朝辉

稀有金属材料与工程

由聚硅氧烷裂解制备出Si-O-C陶瓷,其电阻率为2220 Ω·cm.在聚硅氧烷中添加Al和MoSi2可以制备出低电阻率的Al/Si-O-C和MoSi2/Si-O-C陶瓷.制备温度对材料电阻率有很大的影响.

关键词: Si-O-C陶瓷 , 电阻率 , 聚硅氧烷 , 填料 , 先驱体裂解

聚硅氧烷封孔处理对Cf/SiC复合材料抗氧化性能的影响

索相波 , 陈朝辉 , 王松 , 马青松

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2004.06.008

以室温粘度低的液态聚硅氧烷为原料,采用真空-加压浸渍交联工艺对Cf/SiC复合材料进行了封孔处理.研究了封孔效果及封孔处理对Cf/SiC复合材料短时间抗氧化性能的影响.结果表明,聚硅氧烷能够有效封填材料中微孔,提高Cf/SiC复合材料的致密度,同时明显提高Cf/SiC复合材料的短时间抗氧化性能.经封孔处理的Cf/SiC复合材料在1500℃空气中氧化10min后,材料强度保留率由处理前的67%提高到了95%,质量保留率由处理前的91.9%提高到99.1%.聚硅氧烷在裂解过程中会消耗氧以及裂解产物SiO2在高温下的流动能愈合孔隙,从而阻碍O2向材料内部扩散是抗氧化性能得以提高的原因.

关键词: 抗氧化 , 聚硅氧烷 , 陶瓷先驱体 , 封孔处理 , Cf/SiC复合材料

弛豫对低场下的薄膜磁致伸缩性能影响模型

谢海涛 , 斯永敏 , 马青松 , 刘希从

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.023

基于非晶合金结构微缺陷的Egami模型,本文提出了一个弛豫影响低场下的磁致伸缩性能模型.在此模型中,低磁场下的磁化和磁致伸缩乃是180°磁畴旋转的结果,而180°磁畴的壁移磁化过程将被非晶的结构微缺陷所钉扎,而在较高磁场情况下,不产生磁致伸缩的壁移磁化过程被启动.退火过程将发生非晶相的结构弛豫,使非晶相内由结构缺陷产生的应力降低,从而导致低磁场下的磁致伸缩得以提高.此模型可以很好地解释各工艺状态的Tb0.27Dy0.73Fe2薄膜低场下的磁致伸缩行为.

关键词: 超磁致伸缩 , 薄膜 , 非晶态 , 弛豫

先驱体转化法制备2D Cf/SiC-Cu复合材料及其性能

王其坤 , 胡海峰 , 简科 , 陈朝辉 , 郑文伟 , 马青松

新型炭材料 doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2006.02.010

针对固体火箭发动机喉衬的使用工况,提出在Cf/SiC体系中引入Cu,通过Cu发汗降低材料表面温度以提高材料的抗烧蚀性能.采用先驱体转化法制备了铜体积分数分别为2.18%、4.86%和6.53%的新型复合材料,同时考察了其力学性能和烧蚀性能.结果表明,随着铜含量的增加复合材料试样的弯曲强度逐渐下降,分别为261.07 MPa、203.61 MPa、164.91 MPa;试样的断裂韧性也逐渐下降,分别为13.4 MPa·m1/2、12.5 MPa·m1/2、11.8 MPa·m1/2.三种复合材料试样在氧乙炔焰烧蚀30 s后,试样结构均保持完整,弯曲强度分别下降到121.16MPa、140.23 MPa、122.87 MPa,质量烧蚀率分别为0.036g/s、0.050g/s、0.064g/s.与其他喉衬材料相比,2D Cf/SiC-Cu材料密度低、力学性能和抗烧蚀性能好,具有良好的应用前景.

关键词: 2D Cf/SiC-Cu , 发汗 , 先驱体转化 , 烧蚀性能 , 喉衬

SiC多孔陶瓷的低温制备与表征

于晓东 , 王扬卫 , 马青松 , 马彦 , 陈朝辉

稀有金属材料与工程

以聚碳硅烷为粘接剂,SiC粉末为骨料,经模压成型、惰性气氛保护下于1000 ℃裂解低温制得SiC多孔陶瓷.考察了聚碳硅烷含量、SiC粉末粒径、模压压力、造孔剂碳含量等参数对多孔陶瓷孔隙率、弯曲强度、孔结构的影响.结果表明,随着聚碳硅烷含量和模压压力的增加,SiC多孔陶瓷的开口孔隙率下降,弯曲强度升高;随着造孔剂碳含量的增加,多孔陶瓷的孔隙率由53.05%升高至58.6%,抗弯曲强度迅速由7.88 MPa下降到1.08 MPa.随着模压压力的升高,多孔陶瓷的平均孔径下降;随着SiC粉末粒径的增加,平均孔径增大.

关键词: SiC多孔陶瓷 , 聚碳硅烷 , 陶瓷先驱体裂解 , 孔结构 , 弯曲强度

聚硅氧烷先驱体转化制备低成本Si-O-C陶瓷基复合材料

简科 , 胡海峰 , 马青松 , 陈朝辉

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.01.005

研究了廉价聚硅氧烷的交联与裂解情况,并以其为先驱体制备出Si-O-C陶瓷基复合材料.结果表明,在氯铂酸的催化下,聚硅氧烷与二乙烯基苯可以交联固化.当聚硅氧烷/二乙烯基苯摩尔比为1∶0.5时,陶瓷产率达60.52%.经6次浸渍-交联-裂解过程制备出碳纤维三维编织物增强陶瓷基复合材料,其密度达到1.59g/cm3,弯曲强度达到321MPa,断裂韧性达到9 38MPa·m1/2.

关键词: 低成本 , 陶瓷基复合材料 , 聚硅氧烷 , 交联

先驱体转化制备2D Cf/SiC复合材料力学性能

简科 , 刘静宇 , 陈朝辉 , 马青松

稀有金属材料与工程

以国产3k JC1#纤维布为增强体,以聚碳硅烷和SiC微粉为先驱体和填料,分别采用热压辅助先驱体转化和先驱体浸渍裂解工艺制备了2D Cf/SiC复合材料.结果表明,热压辅助先驱体转化工艺制备的2D C/SiC复合材料纤维损伤严重,基体较为疏松,材料力学性能很低,弯曲强度和断裂韧性仅为84.3 MPa和6.5 MPa·m1/2.而先驱体浸渍裂解工艺制备的2D C-SiC复合材料纤维损伤较小,具有较好的界面结合,内部孔隙较为均匀,力学性能较好,弯曲强度和断裂韧性分别达到321.6 MPa和17.8 MPa·m1/2.材料具有较好的高温力学性能,1300℃时力学性能有较大幅度的提高,1600℃和1800℃时复合材料力学性能还可以较好地保持.

关键词: 2D Cf/SiC复合材料 , 先驱体转化 , 力学性能 , 纤维损伤 , 界面结合

裂解温度对先驱体转化制备2D-Cf/SiC材料结构与性能的影响

简科 , 陈朝辉 , 马青松 , 郑文伟 , 胡海峰

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2006.05.014

以聚碳硅烷(PCS)、二乙烯基苯(DVB)和SiC微粉为原料制备了2D-Cf/SiC材料,考察了首次裂解温度对材料结构与性能的影响.结果表明,首次裂解温度的提高有助于弱化界面结合,形成良好的界面结构,从而提高材料的力学性能.当裂解温度从1000℃提高到1600℃时,材料的弯曲强度由200.7MPa提高到319.2MPa,剪切强度由16.8MPa提高到29.8MPa,断裂韧度由7.4 MPa·m1/2提高到15.0 MPa·m1/2.

关键词: 裂解温度 , 界面 , 先驱体转化法 , Cf/SiC材料

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共6页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词