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用金属诱导-准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜

廖燕平 , 邵喜斌 , 吴渊 , 骆文生 , 付国柱 , 荆海 , 马凯

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.02.010

提出了一种新的晶化方法--金属诱导-准分子激光晶化法(MI-ELA).该方法在制备多晶硅(p-Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p-Si.通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p-Si的结晶性和表面形貌特征.研究发现,MI-ELA方法制备的p-Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高.这个结果源于用MIC方法形成的且与c-Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用.这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a-Si作为成核媒介.这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽.

关键词: 多晶硅薄膜 , 金属诱导-准分子激光晶化 , NiSi2

准分子激光烧结玻璃衬底上多晶硅薄膜材料的制备

邱法斌 , 骆文生 , 张玉 , 刘传珍 , 荆海 , 黄锡珉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.03.002

在PECVD法制备a-Si∶H薄膜材料基础上, 以XeCl准分子激光烧结为手段, 对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索, 利用XRD、 SEM、 Raman光谱等分析测试手段对所制备材料的结构特征进行了表征. 较高的衬底温度、合适的激光能量密度和脉冲频率, 有利于获得高质量的多晶硅薄膜.

关键词: 多晶硅膜 , 准分子激光烧结 , 玻璃衬底 , 制备

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