金克新
,
陈长乐
,
赵省贵
,
罗炳成
,
王建元
,
陈钊
,
高国棉
,
袁孝
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射方法制备了二价碱土元素微量掺杂锰氧化物La0.85Sr0.015MnO3(LSMO)薄膜.电阻-温度关系表明,薄膜在273 K时发生铁磁金属-顺磁半导体相变.在磁场和激光作用下,薄膜呈现出不同的响应特性:在整个测试温度区间内,磁场作用使薄膜电阻变小,在243 K时,取得最大磁电阻变化率为21%;激光辐照薄膜在不同的相态显示出不同的变化特性,在铁磁金属态导致电阻增大,而在顺磁半导体态则致使电阻减小.从能带理论的角度定性地分析了产生该现象的原因是外场对eg电子的作用不同.
关键词:
输运特性
,
La0.85Sr0.015MnO3薄膜
,
小极化子
,
Jahn-Teller效应
陈钊
,
陈长乐
,
高国棉
,
温晓莉
,
李潭
,
王永仓
,
金克新
,
赵省贵
功能材料
采用溶胶-凝胶法成功制备了La0.7Ca0.3MnO3块材和单晶薄膜,研究了薄膜的电阻随温度的变化特性,以及在不同的恒定电流下,薄膜的电阻的变化特性,实验发现在同一温度下,电阻随着电流的增大而变小,在同一稳恒电流下,在T＞Tc时,电阻随着温度的升高而变小;并且出现了双极值现象.这些输运特性可以采用双交换作用和晶格畸变产生的小极化子的机制来解释.
关键词:
庞磁电阻
,
溶胶-凝胶法
,
甩胶涂覆法
,
浸渍法
,
电流诱导
高国棉
,
陈长乐
,
陈钊
,
李谭
,
王永仓
,
金克新
,
赵省贵
材料导报
介绍了脉冲激光沉积薄膜技术的原理、特点,详细探讨了脉冲激光沉积的研究动态和发展趋势.大量研究表明,PLD技术是目前制备薄膜的最好方法之一.
关键词:
PLD
,
等离子体
,
薄膜沉积
赵省贵
,
陈长乐
,
金克新
,
罗炳成
,
高国棉
,
陈钊
,
韩立安
功能材料
研究了钙钛矿锰氧化物La2/3Sr1/3MnO3和Pr2/3Sr1/3MnO3单晶薄膜的激光诱导电阻变化特性.低温铁磁金属相,激光诱导使薄膜的电阻增大,而在顺磁绝缘相则电阻减小,同时薄膜的绝缘体-金属相变(IMT)转变温度Tp向低温方向移动.对于Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜,当激光功率为22mW时,光致电阻相对变化的最大值约为9.6%.光诱导效应致使薄膜的电阻发生变化,并使其IMT的转变温度点向低温方向移动,主要是由于光子能激发eg向下电子的跃迁,改变体系自旋极化方向.
关键词:
钙钛矿薄膜
,
光诱导效应
,
电子自旋
高国棉
,
陈长乐
,
邓小龙
,
韩立安
,
王永仓
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01011
用脉冲激光沉积(PLD)法制备了钙钛矿锰氧化物La 0.9 Ce 0.1 MnO3 (LCEMO)单晶薄膜．X射线衍射分析表明, 薄膜具有钙钛矿赝立方结构, 且沿(100)方向择优生长; 电阻-温度关系给出其存在金属-绝缘体相变和庞磁电阻(CMR)效应, 相变温度(T MI)为213K; 在0.1T的磁场下, 其磁电阻峰值为38.5%, 对应的温度为153K; 其电阻在低温区满足R=R0+R1T2+R2T 4.5, 在高温区符合小极化子输运．薄膜在绿激光(532nm, 40mW)作用下T MI向低温方向移动; 这主要是由于激光激励下体系的自旋发生了变化．且电阻与时间的变化曲线满足关系: R(t)=R 0+Aexp(-t/τ), 说明薄膜在激光作用下具有明显的与自旋相关的弛豫现象．
关键词:
LCEMO薄膜
,
photo-induced
,
transport properties
,
electron-doped
王永仓
,
陈长乐
,
高国棉
,
陈钊
,
李润玲
,
宋宙模
稀有金属材料与工程
采用PLD法在LaAlO3(012)单晶衬底上外延生长了高、双掺杂La1/3(Ca2/3Sr1/3)2/3MnO3(LCSMO)薄膜.薄膜的X射线衍射谱表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且具有(012)方向的择优取向;用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面相对比较平坦;在密封的液氮杜瓦瓶里用四探针法对薄膜的输运特性进行了测试,电阻-温度试验曲线表明,在温度77 K～400K的范围内薄膜呈现类半导体特性,没有金属-绝缘体转变温度(TMI)出现;薄膜的红外透射谱在606 cm-1处有一个很强的吸收峰,由红外透射谱计算出光学能隙Eopt大约为0.7 eV,薄膜的光学折射率为1.373.分析认为LCSMO薄膜的类半导体特性是由于A离子半径变化引起晶格畸变造成的.
关键词:
脉冲激光沉积(PLD)
,
LCSMO薄膜
,
钙钛矿结构
高国棉
,
陈长乐
,
王建元
,
韩立安
,
王永仓
,
宋宙模
稀有金属材料与工程
用脉冲激光沉积(PLD)法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0.82Te0.18MnO3(LTMO)薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻-温度关系显示,该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻(CMR)效应;在0.7 T的磁场作用下,薄膜的磁电阻最大值为30.6%,对应的温度在263 K.而室温(303 K)磁电阻值为4.8%;拟合分析表明,薄膜在低温区是单磁子散射,在高温区满足小极化子输运模型.在波长为532 nm的绿激光作用下,在253 K,光致电阻变化率达到最大值33.6%;分析认为这可能是由于光激发会改变材料中的磁有序,减弱双交换作用,进而改变电子的输运性质.
关键词:
LTMO薄膜
,
电子掺杂
,
CMR效应
,
光诱导效应
高国棉
,
陈长乐
,
韩立安
,
王建元
,
崔海涛
功能材料
用脉冲激光沉积法在LaAlO3衬底上制备了La0.88Te0.12MnO3-δ(LTeMnO)薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻率-温度关系显示样品发生了金属绝缘体转变和庞磁电阻效应,转变温度为278K;在0.4T的磁场下,其磁电阻最大值为16.9%,对应的温度为223K.在绿激光作用下,光致电阻率变化最大值为13.2%;原因可能是激光作用影响了体系中载流子的浓度,进而影响了体系的自旋.
关键词:
薄膜
,
光诱导效应
,
CMR效应
温晓莉
,
陈长乐
,
陈钊
,
韩立安
,
高国棉
材料导报
介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展.详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨.
关键词:
ZnO
,
薄膜
,
P型掺杂
,
p-n结
,
磁性能
温晓莉
,
陈长乐
,
陈钊
,
张利学
,
牛利伟
,
高国棉
功能材料
利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了ZnO、Zn0.8Mn0.2O、Zn0.8Co0.2O薄膜.薄膜的晶体结构和表面形貌采用X射线衍射仪和原子力显微镜测试.表明薄膜具有明显的c轴择优生长取向,薄膜表面较为平整,颗粒尺寸在纳米量级,薄膜中晶粒的生长模式为"柱状"模式.此外,Mn、Co掺入后,薄膜的X射线衍射峰有小角度偏移,这与 Mn2+、Co2+离子半径有关.PL谱显示Mn、Co掺杂ZnO薄膜的蓝、绿发光峰的位置相对纯的ZnO薄膜没有改变,还出现了紫外发光峰,其中Mn掺杂的蓝、绿光峰的强度减弱,Co掺杂的蓝光峰强度减弱,绿光峰强度增强.这是因为Mn、Co掺入改变了ZnO本征缺陷的浓度,发光峰的强度也随之而改变.
关键词:
PLD
,
Zn0.2Mn0.8O薄膜
,
Zn0.8Co0.2O薄膜
,
光致发光
