杨宇
,
陈刚
,
邓书康
,
高立刚
,
刘焕林
,
吴国元
,
俞帆
,
陈长青
,
陈亮
,
郝瑞亭
功能材料
研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的.本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构,对样品进行X射线和拉曼散射实验表征.研究表明:Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化,当Ge厚度略小于Si薄层厚时,获得最佳的Si室温晶化效果.
关键词:
Si/Ge多层膜
,
离子束外延
,
XRD
,
Raman散射
陈亮
,
张曙
,
邓书康
,
陈刚
,
高立刚
,
阚家德
,
杨宇
功能材料
本文采用离子束溅射的方法制备了不同衬底温度下的BST薄膜,用X射线、Raman、SPM等技术对晶体结构及微观形貌进行表征,研究了离子束溅射制备BST的工艺.
关键词:
钛酸锶钡
,
薄膜
,
离子束溅射
,
晶体结构
邓书康
,
陈刚
,
高立刚
,
陈亮
,
俞帆
,
方静华
,
杨宇
功能材料
用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.
关键词:
离子束溅射
,
非晶硅
,
喇曼散射
,
电阳率
高立刚
,
陈刚
,
邓书康
,
陈亮
,
阚家德
,
俞帆
,
杨宇
功能材料
采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.
关键词:
Ge薄膜
,
XRD
,
Raman散射光谱
,
晶粒尺寸
,
声子限域理论
邓书康
,
陈刚
,
高立刚
,
陈亮
,
俞帆
,
刘焕林
,
杨宇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.020
采用离子束溅射制备Si/Ge多层膜,通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度,用Raman光谱对Si/Ge多层膜的微观结构及Si子层的结构进行表征.结果表明,所制备的Si/Ge多层膜中,当Ge子层的厚度为6.2nm时,Si子层的结晶质量较好,表明适量的Ge含量有诱导Si结晶的作用.
关键词:
Si/Ge多层膜
,
离子束溅射
,
拉曼光谱
高立刚
,
杨宇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.001
采用直流磁控溅射技术在不同生长温度制备了一系列的Ge薄膜.应用拉曼散射、X射线衍射、光致发光等技术表征薄膜的结构.结果表明:Ge薄膜的结晶温度约为380℃,并且随着生长温度的升高,Ge的结晶性变好,晶粒长大;对不同尺寸Ge薄膜的光致发光研究表明:随着纳米Ge晶粒尺寸的减小,光致发光峰的相对强度逐渐增强,且发光峰位发生蓝移.用有效质量近似模型讨论了量子尺寸效应和介电限域效应对纳米Ge颗粒发光特性的影响.
关键词:
磁控溅射
,
纳米Ge薄膜
,
拉曼散射
,
X射线衍射
,
光致发光
