郑伟艳
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
串利伟
,
魏文浩
,
岳红维
,
曹冠龙
功能材料
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化（CMP）须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性（WIWNU）为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低（0.178nm）,表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。
关键词:
低压
,
碱性
,
铜布线化学机械平坦化
,
高低差
,
速率
武敬亮
,
刘晨光
,
黄振华
,
林维平
,
王晓蕾
,
魏文浩
功能材料
通过化学交联法合成组氨酸修饰透明质酸耦合物(His-HA),制备载阿霉素纳米粒,分析其pH值响应性和抗肿瘤特征.研究显示,随着pH值的降低(7.4～5.5),纳米粒的粒径增大(230～780nm),zeta电位升高,载药纳米粒的体外释放量增加.细胞毒性实验显示粒径＜300nm的载药纳米粒具更高的毒性.细胞摄入实验表明,阿霉素通过受体介导的胞吞和载药纳米粒的胞外释放两种途径被细胞摄入.以上研究显示组氨酸修饰透明质酸纳米粒具有显著的pH值响应性,具备作为阿霉素药物载体的应用前景.
关键词:
pH值响应性
,
透明质酸
,
组氨酸
,
纳米粒
魏文浩
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
牛新环
,
郑伟艳
,
尹康达
功能材料
研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂（通常为H2O2）。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能够保护凹陷处的Cu不被去除,而对阻挡层（Ta）和保护层（TEOS）具有较高的去除速率,利于碟形坑和蚀坑的修正。在300mm铜布线CMP中应用表明,此碱性阻挡层抛光液为高选择性抛光液,能够实现Ta/TEOS/Cu的选择性抛光,对碟形坑（dishing）和蚀坑（erosion）具有较强的修正作用,有效地消除了表面的不平整性,与去除速率及选择性实验结果一致,能够用于多层铜布线阻挡层的抛光。
关键词:
碱性阻挡层抛光液
,
去除速率
,
选择性
,
碟形坑
,
蚀坑
