王惟林
,
刘训春
,
魏珂
,
郭晓旭
,
王润梅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.011
选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步.由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制,因此有必要进行干法刻蚀的研究.虽然采用反应离子刻蚀(RIE)、磁增强反应离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀,但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤,影响器件性能.感应耦合等离子刻蚀(ICP)是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法,在GaAs器件的制造中有突出的优点.本工作进行了GaAs/AlGaAs的选择刻蚀研究,GaAs/AlGaAs的选择比达到840:1,取得较理想的刻蚀结果.
关键词:
GaAs/AlGaAs
,
ICP
,
选择刻蚀
陈震
,
魏珂
,
王润梅
,
刘新宇
,
刘训春
,
吴德馨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.024
比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术,并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl2F2/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过优化气压、射频功率、CCl2F2/Ar混合气体组分配比,在CCl2F2流量为200sccm,Ar流量为10sccm,源功率Ps=400W,偏压功率Pb=14W,自偏压Vb=120V,真空度P=43Pa时,得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4.3μm/min).
关键词:
通孔
,
感应离子耦合(ICP)
,
干法刻蚀
黄俊
,
魏珂
,
刘新宇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.017
对AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀.
关键词:
AIGaN/GaN
,
HEMT
,
凹栅槽
,
低损伤刻蚀
,
C2H4
