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多晶氧化铍陶瓷上金刚石薄膜的生长

陈永勤 , 余志明 , 方梅 , 魏秋平 , 陈爽

中国有色金属学报

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以CH4和H2为反应气体,在多晶氧化铍陶瓷基体上沉积了金刚石薄膜.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和激光热物性测试仪进行检测分析,研究工艺参数对金刚石薄膜生长及膜/基复合体热学性能的影响.结果表明:随着CH4浓度的增加(或CH4浓度一定,反应气体总流量增加),金刚石晶粒尺寸逐渐减小,膜/基复合体的热导率逐渐降低;当CH4浓度为2%(体积分数),流量为30 cm3/min,压强为1.33 kPa时,沉积的膜/基复合体的热导率最高,可达2.663 W/(cm·K).

关键词: 金刚行薄膜 , 氧化铍 , 热丝化学气相沉积 , 工艺参数 , 热导率

正二十面体金刚石的形成及其计算机模拟

余志明 , 魏秋平 , 叶浚 ,

新型炭材料

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法,以甲烷和氢气为反应气体,在YGl3(WC-13%Co)硬质合金基体上制备了金刚石膜.膜中存在大量五重对称结构的正二十面体金刚石晶粒(IDC).当尺寸较小时晶粒为较完整的正二十面体形状,尺寸达微米级后晶粒为带有"沟槽"或"凹坑"的变种正二十面体形状.研究了IDC的形成机制,并进行了计算机模拟.结果表明:对于四面体立方结构来说,IDc的{111}孪晶面与正常{111}孪晶面相比存在2.87°的差异,孪晶面两侧原子几何位置失配,使其成为畸变孪晶面,这种畸变孪晶面导致IDC晶粒存在"凹坑"和"沟槽";IDC的晶核是正十二面体烷(C20H20).

关键词: 化学气相沉积 , 金刚石 , 正二十面体晶粒 , 十二面体烷 , 计算机模拟

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