孔凡迪
,
陈诺夫
,
陶泉丽
,
贺凯
,
王从杰
,
魏立帅
,
白一鸣
,
陈吉堃
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.016
采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多.使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景.使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间.通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因.
关键词:
半导体材料
,
p-n结
,
快速热处理
,
磷扩散
,
扩散系数
