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气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构

刘成 , 吴惠桢 , 劳燕锋 , 黄占超 , 曹萌

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.010

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构.通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μm VCSEL,器件在室温下可连续单模激射,阈值电流约为4mA.实验测得的VCSEL结构反射光谱包括高反射带和腔模等参数与传递矩阵法拟合的反射光谱相符合;边发射电致发光谱的增益峰与腔模位置一致.

关键词: 垂直腔面发射激光器 , 气态源分子束外延 , 光电特性

PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构

徐天宁 , 吴惠桢 , 斯剑霄 , 曹春芳 , 黄占超

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.06.013

用分子束外延技术在BaF2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构;降低Se/PbSe束流比至0.2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构;当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫.在BaF2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃.

关键词: 无机非金属材料 , PbSe单晶薄膜 , 分子束外延 , 应变弛豫 , 螺旋结构

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