刘少波
,
刘梅冬
,
曾亦可
,
夏冬林
,
黄焱球
,
李军
,
郭明金
材料导报
归纳了非致冷红外焦平面阵列(UFPA)技术自提出、发展直至趋于成熟以来,国内外曾研究报道过的近百种热电型探测材料,对其中前景看好的Si、Ti、VOx等微测辐射热计材料和(Ba、Sr)TiO3等热释电材料进行了重点评述.
关键词:
非致冷红外焦平面阵列
,
热释电
,
微测辐射热计
,
薄膜
池召坤
,
谭劲
,
包鲁明
,
艾飞
,
黄焱球
,
何谋春
,
李飞
人工晶体学报
在不同过冷度条件下,硅酸盐熔体结晶得到了透辉石晶体含量合适的样品.实验结果表明透辉石晶体形貌的自形程度随过冷度增加而降低.拉曼光谱分析显示晶体的特征谱峰半高宽随过冷度增加而变宽,拉曼光谱还显示出晶体结构继承玻璃结构的特征.运用电子探针详细分析了透辉石晶体及其生长界面附近成分变化的特点,发现存在约几到十几微米厚的过渡层,并且透辉石晶体成分随过冷度增大Al元素进入到晶体的含量也增加,同时Al元素与Mg元素在结晶过程中的协同作用较强.
关键词:
透辉石
,
结晶
,
过冷度
,
过渡层
,
晶体成分
黄焱球
,
刘梅冬
,
李珍
,
曾亦可
功能材料
利用拉曼光谱结合X射线衍射分析对未掺杂和掺杂的ZnO薄膜、陶瓷薄膜进行了研究.ZnO薄膜及ZnO陶瓷薄膜均由sol-gel法制备,掺杂组份有Bi2O3、Sb2O3、MnO和Cr2O3等.结果表明,未掺杂的薄膜的ZnO主晶相均表现出显著的定向生长特征,其拉曼光谱特征谱峰为437cm-1,谱峰强度随薄膜退火温度的提高略有增强.掺杂后ZnO的拉曼谱峰发生了红移.掺Bi2O3后ZnO的拉曼谱峰由347cm-1移质移至434cm-1,掺Sb2O3后ZnO的拉曼谱峰移至435cm-1,而掺杂Bi2Os、Sb2O3、MnO和Cr2O3等组份的ZnO陶瓷薄膜的ZnO拉曼谱峰则移至434cm-1,说明掺杂元素进入了ZnO晶格,引起了晶格的变化.ZnO薄膜性能不仅受次晶相组成的影响,而且受因掺杂元素进入而引起的ZnO晶格畸变的影响.
关键词:
ZnO薄膜
,
晶体结构
,
拉曼光谱
张弛
,
刘梅冬
,
曾亦可
,
刘少波
,
黄焱球
材料导报
综述了VO2薄膜的制备工艺,着重探讨了热处理工艺和条件对其性能的影响,并介绍了它的最新应用情况.
关键词:
VO2薄膜
,
制备工艺
,
热处理
,
非制冷红外焦平面
,
光阀
,
激光器反射镜
黄焱球
,
高兰芳
,
宛新武
,
周飞
,
刘春风
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.01.011
采用X射线粉晶衍射分析及透射电镜选区电子衍射分析技术等手段,研究了(1-x)BaTiO3-x Bi0.5 Na0.5 TiO3(x≤0.4)固溶体陶瓷的晶相组成及晶体结构特征,并对陶瓷性能特征进行了讨论.研究表明,固溶体的晶体结构受BNT含量的显著影响.X射线衍射分析表明,经1250 ℃烧结2 h的陶瓷形成了钙钛矿结构固溶体.选区电子衍射分析表明,该固溶体并非单一晶相,其晶相类型包括四方相和立方相,并存在局部结构畸变现象.陶瓷的相变温度随BNT含量的增高而变化,居里温度增高,次级相变向低温移动,并最终消失.当BNT含量为20%～40%(摩尔分数)时,陶瓷具有较好的铁电性,其居里温度为146～182 ℃,介电损耗为0.030～0.042,并在-60～110 ℃以上较宽的范围内具有良好的介电稳定性.
关键词:
BaTiO3-Bi0.5 Na0.5TiO3陶瓷
,
晶相特征
,
晶体结构
,
介电性能
吴剑芳
,
李珍
,
何航
,
黄焱球
,
李飞
,
郝小非
材料导报
以钾长石为主要原料,制备了α-堇青石微晶玻璃.采用差热分析(DSC)、X射线衍射仪(XRD)及场发射扫描电子显微镜(FESEM)分别研究了微晶玻璃的烧结和晶化行为、晶相组成及显微结构.探讨了晶化温度对微晶玻璃晶相、显微结构及性能的影响.结果表明,随着温度的升高,微晶玻璃中α-堇青石含量先增加后减小,而微晶玻璃孔隙先变少后增多；微晶玻璃抗折强度(最高达到131 MPa)高,介电常数(最低为4.56,200 kHz)及介电损耗(最低为0.030,200 kHz)低,晶化温度低于1000℃,可以用作低温共烧陶瓷材料.
关键词:
堇青石
,
微晶玻璃
,
钾长石
,
介电性能
夏冬林
,
刘梅冬
,
曾亦可
,
李军
,
黄焱球
,
刘少波
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.020
采用新型sol-gel技术在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为2～60μm的PZT铁电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂纹、高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度是25μC/cm2,矫顽场是40kV/cm.
关键词:
PZT厚膜
,
新型sol-gel技术
,
介电性能
,
铁电性能
