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方志丹 , 崔碧峰 , 黄社松 , 倪海桥 , 邢艳辉 , 牛智川
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.012
通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点.使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2.这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中.
关键词: 单光子源 , 低密度 , 量子点
