黄竹
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王华
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许积文
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杨玲
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任明放
材料导报
以纳米级的ZnO、MgO和Al2O3粉体为原料,经过湿式球磨得到了混合粉体,采用常压固相烧结的方法制备了高致密度MgXZn1-XO:Al陶瓷靶材,研究了预烧粉体、Mg掺杂量和烧结温度对靶材微观结构和性能的影响.研究表明,预烧粉体可以减少第二相的生成;随着Mg掺杂量的增加,MgO立方相逐渐增多,在x=0.3时产生了相分离;在1100～1300℃内,随着烧结温度的升高,靶材的晶粒大小和密度逐渐增大,增大趋势在1300℃后变缓,1300℃烧结4h可以制得结构均匀、高致密度的MgxZn1-xO:Al靶材.
关键词:
MgxZn1-xO:Al靶材
,
预烧
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Mg含量
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烧结工艺
,
微观结构
王华
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黄竹
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许积文
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杨玲
人工晶体学报
以自制MgxZn1-xO:Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO:Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO:Al薄膜结构和光电性能的影响.X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO:Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO:Al薄膜为立方结构.当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域.退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600 ℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移.
关键词:
MgxZn1-xO:Al
,
紫外透明导电薄膜
,
Mg掺杂
,
光电性能
