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CdTe(110)表面原子与电子结构的第一性原理研究

王亚彬 , 黄育红 , 查钢强 , 介万奇

人工晶体学报

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了CdTe(110)表面的原子和电子性质.结果表明,CdTe(110)理想表面在禁带中出现两个明显的表面态,弛豫后表层Cd原子和Te原子p态电子发生转移,Cd原子趋向于sp2平面杂化构型,Te原子趋向p3杂化的锥形构型.经过表面弛豫大大降低了表面能,增大了表面功函数,表面占据态和表面空态分别被推进价带顶之下和导带底之上,导致弛豫表面没有明显的表面态.

关键词: 密度泛函理论 , 表面原子结构 , 表面态 , 表面功函数 , CdTe

ZnS(Se,Te)的电子、弹性和光学性质的第一性原理研究

黄育红 , 介万奇 , 徐凌燕 , 骆娟宁

人工晶体学报

本文采用密度泛函第一性原理的理论计算方法,研究了二元化合物半导体ZnS(Se、Te)的电子能带结构、弹性及光学性质.计算得到的弹性相关的物理量如弹性常数和实验值符合较好.低温下ZnS、ZnSe和ZnTe的德拜温度分别为274.725 K、220.466 K和162.165 K,随阴离子半径的增大,德拜温度呈减小趋势.ZnS、ZnSe和ZnTe的静态介电常数ε1(0)分别为4.71、5.58和7.18.在低能区,介电函数实部随入射光子能量的增加而增加,ZnTe的介电常数值达到最大值(13.78)时对应的光子能量最小(3.61 eV).ZnS、ZnSe和ZnTe的静态折射率分别为2.17、2.36和2.68.在外场作用下,这三者的折射率最大值分别为nZaS(7028 eV)=3.57、nZnSe(6.60 eV) =3.56和nZnTe (3.69 eV)=3.82.通过吸收系数图谱拟合出ZnS(Se、Te)的吸收边分别为3.7953 eV、2.9329 eV和2.48765eV,与实验值非常接近.

关键词: 电子能带结构 , 弹性 , 介电常数 , 折射率 , 吸收边

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