潘裕柏
,
徐军
,
吴玉松
,
李江
,
李劲东
,
姜本学
,
陈卫标
,
冯锡淇
,
曾燕萍
,
黄莉萍
,
郭景坤
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01278
成功制备了高质量的Nd:YAG透明陶瓷, 激光测试样品的尺寸为3mm×3mm×3mm, 双面抛光、未镀膜, 最高连续输出能量为1003mW, 斜率效率为14%.
关键词:
激光输出
,
Nd:YAG transparent ceramic
潘裕柏
,
徐军
,
吴玉松
,
李江
,
李劲东
,
姜本学
,
陈卫标
,
冯锡淇
,
曾燕萍
,
黄莉萍
,
郭景坤
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.042
成功制备了高质量的Nd:YAG透明陶瓷,激光测试样品的尺寸为3mm×3mm×3mm,双面抛光、未镀膜,最高连续输出能量为1003mW,斜率效率为14%.
关键词:
激光输出
,
Nd:YAG透明陶瓷
李江
,
杨志勇
,
吴玉松
,
刘文斌
,
潘裕柏
,
黄莉萍
,
郭景坤
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00429
采用固相反应和真空烧结技术制备了掺杂浓度为1.0at％的Nd:YAG透明陶瓷样品, 并测试了样品的吸收光谱和荧光光谱. 样品在主吸收峰808nm处的吸收截面为3.10×10-20cm2, 主荧光发射峰位于1064nm处, 实测荧光寿命为257μs. 应用Judd-Ofelt理论计算了Nd3+在YAG中的强度参数Ωλ(λ=2, 4, 6)、跃迁的振子强度、自发辐射跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比等光谱参数. 最后计算得到Nd:YAG透明陶瓷中Nd3+: 4F3/2→4I11/2跃迁对应的受激发射截面大小为3.81×10-19cm2. 结果表明: Nd:YAG透明陶瓷具有较大的受激发射截面和高的荧光量子效率(接近100％), 是一种性能优良的激光材料.
关键词:
Nd3+离子
,
YAG transparent ceramic
,
spectroscopic properties
,
judd-ofelt theory
李江
,
杨志勇
,
吴玉松
,
刘文斌
,
潘裕柏
,
黄莉萍
,
郭景坤
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.003
采用固相反应和真空烧结技术制备了掺杂浓度为1.0at%的Nd:YAG透明陶瓷样品,并测试了样品的吸收光谱和荧光光谱.样品在主吸收峰808nm处的吸收截面为3.10×10-20cm2,主荧光发射峰位于1064nm处,实测荧光寿命为257μS.应用Judd-Ofelt理论计算了Nd3+在YAG中的强度参数Ωλ(λ=2,4,6),跃迁的振子强度、自发辐射跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比等光谱参数.最后计算得到Nd:YAG透明陶瓷中Nd3+:4F3/2→I11/2跃迁对应的受激发射截面大小为3.81×10-19cm2.结果表明: Nd:YAG透明陶瓷具有较大的受激发射截面和高的荧光量子效率(接近100%),是一种性能优良的激光材料.
关键词:
Nd3+离子
,
YAG透明陶瓷
,
光谱性质
,
Judd-Ofelt理论
李江
,
潘裕柏
,
宁金威
,
黄莉萍
,
郭景坤
无机材料学报
以湿化学法制备的纳米α-Al2O3粉体作为添加剂,MgO和SiO2为烧结助剂,对商用γ-Al2O3粉体预处理后,采用无压烧结工艺,有效的降低了烧结温度.在1450℃制备了高性能的氧化铝陶瓷,并对添加α-Al2O3纳米晶的作用机理进行了研究.
关键词:
氧化铝陶瓷
,
low temperature sintering
,
wet-chemical method
,
nanocrystalline
李江
,
邱发贵
,
潘裕柏
,
黄莉萍
,
郭景坤
稀有金属材料与工程
分别在NH4HCO3、氨水溶液中滴加NH4Al(SO4)2和Y(NO3)3的混合溶液,共沉淀生成YAG的前驱体.通过对YAG前驱体组成和结构的表征来讨论2种沉淀剂对前驱体团聚的影响,并且通过对2种前驱体热处理过程中YAG相形成的反应历程分析,来解释最终生成YAG粉体的形貌、尺寸及团聚状态.结果表明,使用氨水作为沉淀剂,生成的YAG粉体团聚严重;使用碳酸盐作为沉淀剂形成的前驱体虽然也有一定程度的团聚,但最终生成分散性好、尺寸较小的YAG纳米粉体.
关键词:
团聚
,
共沉淀
,
YAG
,
纳米粉
葛其明
,
刘学建
,
黄智勇
,
黄莉萍
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.02.006
分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形貌.XPS分析结果表明,当原料气中氨气与三氯硅烷的流量之比小于3时获得富Si的SiNx薄膜,当流量之比大于4时获得近化学计量的SiNx薄膜(x=1.33).AES深度分析与XPS分析结果很好地吻合,在835cm-1产生的强红外吸收峰表明Si-N键的形成,ERD分析表明所制备SiNx薄膜中的氢含量很低(1.2at.%).AFM分析结果表明,所沉积的SiNx薄膜均匀、平整,薄膜的均方根粗糙度RMS仅为0.47nm.
关键词:
氮化硅
,
薄膜
,
化学组成
,
LPCVD
