叶乐
,
史坚
,
李焕英
,
陈晓峰
,
黄跃峰
,
徐家跃
,
任国浩
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160381
通过坩埚下降法生长GdI3∶2％Ce及无掺杂GdI3闪烁晶体,得到φ15 mm×20 mm的晶体毛坯,从中加工出尺寸分别为12 mm×10 mm×2.5 mm和11 mm×8 mm×2.5 mm的无包裹体、无开裂的晶体样品,封装后检测该晶体光学性能.XRD分析结果表明:掺杂晶体GdI3∶2％Ce与无掺杂GdI3晶体结构相同.X射线激发发射(XEL)和紫外激发发射谱(PL)测试结果显示:GdI3∶2％Ce晶体在450～700 nm有宽带发光峰,发光峰位分别位于520 nm和550 nm,对应于Ce3+的5d-4f跃迁发光.以550nm为监控波长,测得在紫外激发下存在三个激发峰,分别位于262、335和440 nm.GdI3∶2％Ce晶体在137Cs源伽马射线(662 keV)激发下能量分辨率为3.4％,通过高斯拟合得到的衰减时间为58±3 ns.研究表明,GdI3∶2％Ce晶体是一种良好的伽马和中子探测材料,具有广泛的应用前景.
关键词:
GdI3∶2％Ce晶体
,
坩埚下降法
,
闪烁性能
