曲宝壮
,
朱勤生
,
陈振
,
陆大成
,
韩培德
,
刘祥林
,
王晓晖
,
孙学浩
,
李昱峰
,
陆沅
,
黎大兵
,
王占国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.003
利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)技术 , 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生 长出多层 InGaN/GaN量子点.这种方法是对 GaN表面进行钝化并在低温下生长 ,从而增加表面吸 附原子的迁移势垒.采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点.从量子点 样品的 I- V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的 共振隧穿.
关键词:
量子点
,
MOCVD
,
共振隧穿
,
InGaN/GaN
吴洁君
,
韩修训
,
李杰民
,
黎大兵
,
魏宏远
,
康亭亭
,
王晓晖
,
刘祥林
,
王占国
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.018
本文研究了低温GaN(LT-GaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响.用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LT-GaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致.用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LT-GaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显.通过分析进一步确认LT-GaN缓冲层的最优生长时间.
关键词:
缓冲层厚度
,
GaN
,
蓝宝石衬底
,
MOCVD
董逊
,
黄劲松
,
黎大兵
,
刘祥林
,
徐仲英
,
王占国
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.007
用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AlInGaN合金的发光机制.实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无序.形成这种无序的原因是In组分不均产生的微结构(如量子点).伸展指数衰减函数中弥散指数β不仅不随温度变化,在250K也不随辐射能量变化,表明载流子的弥散过程由局域态之间的跳跃所主导.进一步实验表明局域态在250K时仍然表现出零维特性.
关键词:
AlInGaN
,
时间分辨
,
量子点
,
局域态
陈雷锋
,
宋航
,
蒋红
,
赵海峰
,
李志明
,
黎大兵
人工晶体学报
本文采用CNT与纳米银颗粒混合球磨的方法,改善了CNT与衬底电极的电学接触性能.并比较了球磨和电泳两种方法分别获得的CNT的场发射特性,结果表明:采用球磨法所获得的CNT场发射阴极的场发射性能远远优于电泳法.在球磨过程中,由于钢球、纳米银颗粒、CNT和衬底之间互相挤压,使CNT和银颗粒及衬底之间形成紧密牢固的接触,减少了界面的接触电阻,从而大大改善了界面的电学接触性能.而电泳沉积的CNT和衬底之间基本上是简单的物理附着力,接触电阻很大,而且由于这种作用力相对较弱,往往会导致发射体本身不稳定.球磨提供了一种改善电学接触的简单有效方法,并且适合于大规模生产CNT场发射冷阴极.
关键词:
碳纳米管
,
场发射
,
球磨
,
电泳
,
接触电阻
黎大兵
,
董逊
,
刘祥林
,
王晓晖
,
王占国
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.016
在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响.发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nm附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高.以混合气做载气,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低,而薄膜的结构和光学性能却提高.结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数:即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在850℃到870℃.
关键词:
InAlGaN四元合金
,
金属有机物气相外延
,
高分辨X射线衍射
,
光致发光
刘祥林
,
董逊
,
黎大兵
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.002
研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800～880 ℃, 其In组分随生长温度升高而降低. 用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质.光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上.时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区--在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区.
关键词:
InGaAlN
,
生长
,
光学性质
,
低维结构
,
铟聚集
