殷景志
,
龙北红
,
邵丽梅
,
阮圣平
,
胡立发
,
刘永刚
,
宣丽
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.009
提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统.系统采用永磁铁和线圈相结合,改善反应室磁场的均匀性;微波窗口设计成多层结构,避免窗口污染;衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性.
关键词:
电子回旋共振
,
微波等离子体
,
p-Si薄膜
吴汉华
,
金曾孙
,
龙北红
,
汪剑波
,
王秀琴
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2004.12.004
为了弄清铝合金微弧氧化重要参数对其耐点蚀和微硬度的影响,在氢氧化钠和硅酸钠溶液中,保持阳极电流密度为15A/dm2,制备了阴/阳极电流密度比在0.6～0.8之间的铝合金微弧氧化陶瓷膜.结果表明:阴/阳极电流密度比对陶瓷膜的抗点腐蚀性和硬度有很强的影响;不同阴/阳极电流密度比所制备的陶瓷膜微观结构差异较大,陶瓷膜抗点腐蚀性和硬度的不同是由这种微观结构差异所引起的.
关键词:
微弧氧化
,
电流密度比
,
铝合金
,
显微硬度
,
抗点蚀性
吴汉华
,
王秀琴
,
龙北红
,
汪剑波
,
金曾孙
,
李哲奎
功能材料
在Na2CO3-Na2SiO3溶液中,采用正负不对称交流微弧氧化电源在钛合金上制备出了多孔金红石TiO2薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分别研究了钛合金微弧氧化陶瓷膜的相组成和微观结构,实验结果表明,氧化膜主要由大量金红石和少量锐钛矿TiO2组成;膜表面布满了尺寸不到4μm的小孔,膜截面没有明显的疏松层和致密层之分.对微弧氧化样品在3.5%NaCl溶液中的抗点腐蚀测试表明,阴极峰值电压与样品的耐腐蚀性能密切相关,当阴、阳极峰值电压和处理时间分别为45、320V和30min所制备的钛合金微弧氧化样品其抗点腐蚀能力最强.
关键词:
微弧氧化
,
阴/阳极峰值电压
,
抗点腐蚀
,
钛合金
殷景志
,
杜国同
,
龙北红
,
杨树人
,
许武
,
宣丽
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.009
为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA),将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构.器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构,避免了常规制作SOA的复杂工艺.对样品3在80～125 mA电流范围内,获得了偏振灵敏度≤0.6 dB,最小可达0.1 dB; 较大的电流范围内FWHM值为40 nm.
关键词:
应变补偿
,
偏振不灵敏
,
半导体光放大器
