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AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性研究

谢自力 , 张荣 , 江若琏 , 刘斌 , 龚海梅 , 赵红 , 修向前 , 韩平 , 施毅 , 郑有炓

功能材料

用MOCVD 技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料.研究了AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性. 结果表明,缓冲层材料和结构对AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响.AFM研究表明利用GaN做支撑层生长的AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料是一种准二维生长模式.XRD和SEM研究表明研制的材料表面平整、界面清晰、并且材料具有完整的周期重复性.利用紫外-可见光谱仪反射谱研究表明研制的30对AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料在中心波长为313nm的紫外波段具有93.5%的反射率.

关键词: MOCVD , 超晶格 , AlxGa1-xN/AlN

Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备

李志兵 , 王荣华 , 韩平 , 李向阳 , 龚海梅 , 施毅 , 张荣

材料研究学报

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜,研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.

关键词:

InGaAs红外探测器低频噪声研究

黄杨程 , 梁晋穗 , 张永刚 , 刘大福 , 庄春泉 , 李萍 , 龚海梅

功能材料

红外探测器的低频噪声是制约器件能否应用于空间遥感的关键因素之一.本文测试了典型的铟镓砷(InGaAs)红外探测器的低频噪声,测试结果表明器件的Hooge系数αH=2×10-5~7×10-5,噪声拐点较大.讨论了暗电流与器件低频噪声的关系,比较了不同钝化工艺研制的器件的低频噪声,结果表明通过加强表面钝化工艺可有效地降低器件的低频噪声.

关键词: 红外探测器 , 低频噪声 , 空间遥感

Ge组分渐变的Si1-x-yGexCy薄膜的制备

李志兵 , 王荣华 , 韩平 , 李向阳 , 龚海梅 , 施毅 , 张荣

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.018

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜,研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.

关键词: 金属材料 , Si1-x-yGexCy合金薄膜 , 化学气相淀积(CVD)

InGaAs红外探测器的γ辐照研究

黄杨程 , 曹光明 , 刘大福 , 龚海梅

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.015

研究了γ射线辐照对 InGaAs红外探测器性能的影响.γ射线的辐照剂量分别为 10Mrad、 20Mrad、 30Mrad.测量了器件在不同γ辐照剂量下的响应光谱、电流-电压特性、信号、噪声.通 过对实验结果的分析,发现器件的响应光谱和信号没有发生明显变化;暗电流和噪声随γ辐照剂 量增加而递增,表明探测器的性能随γ辐照剂量的增加而逐步衰减.

关键词: InGaAs , 红外探测器 , γ射线辐照

新型红外探测器材料Hg1-x-y CdxZnyTe研究

齐卫笑 , 林杏潮 , 沈杰 , 张莉萍 , 邱惠国 , 龚海梅

功能材料

采用移动加热器法(THM)进行了新型红外探测器材料Hg1-x-yCdxZnyTe(MCZT)的晶体生长,获得的MCZT晶片经汞源退火后进行了光学特性、结构特性、电学性能和组分均匀性的检测与分析,并且初步制作成近室温工作的长波光电导器件,对器件性能进行了测试与分析.结果表明用移动加热器法生长Hg1-x-yCdxZnyTe晶体是成功的,获得晶片的材料特性与器件性能初步达到了应用水平.

关键词: Hg1-x-yCdxZnyTe(MCZT) , 移动加热器法 , 光电导器件

"神舟3号"上生长Cd1-xZnxTe晶片Zn组分分布的显微荧光研究

刘劼 , 李志锋 , 沈杰 , 林杏朝 , 刘诗嘉 , 龚海梅

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.022

用显微荧光(μ-PL)方法对在我国"神舟3号"上空间生长的CdznTe晶片中zn组分分布的研究.对晶片的单晶"壳"区及未完全熔化的"芯"区中的小结晶区域进行了逐点PL测量.对测得每一点的PL谱进行了拟合,得到测量点的禁带宽度参数Eg,其分布对应于CdznTe中zn的组分分布.测量结果给出了空间生长晶片zn组分布的变化趋势和统计规律.作为比较,测量并分析了一块采用相同方法在地面生长的CdznTe晶片.

关键词: 显微荧光 , CdZnTe , Zn组分 , 平面分布 , 扫描

ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究

周咏东 , 方家熊 , 李言谨 , 龚海梅 , 汤定元

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.06.031

用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了ZnS的低温沉积.用 X射线光电子能谱(XPS)对上述ZnS薄膜以及热蒸发ZnS薄膜中的Zn、S元素的化学环境进行了对比实验研究.实验表明:离子束溅射沉积ZnS薄膜具有很好的组份均匀性,未探测到元素Zn、S的沉积.

关键词: ZnS , 离子束溅射沉积 , XPS , HgCdTe , 表面抗反射膜

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