关荣锋
,
尤亚军
功能材料
doi:10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.70.25
采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β‐In2 S3薄膜。应用XRD、拉曼光谱仪及U V‐Vis测试仪对薄膜的品质进行了分析，并测试了薄膜的光学与电学性能。结果表明，溅射功率和硫化热处理温度是影响薄膜品质的主要因素，比较合适的溅射功率为100～140 W ，硫化热处理温度为450℃，过高的热处理温度容易在薄膜中形成缺陷，在薄膜生长过程中容易产生In5 S4杂相，相比之下，溅射气体压强对薄膜品质的影响较小，溅射气体压强可选择在04．～06．Pa。光学与电学性能测试结果指出，得到的β‐In2 S3薄膜具有良好的光谱透过率，属n型半导体，可用于太阳能电池缓冲层。
关键词:
薄膜太阳电池
,
β-In2 S3
,
磁控溅射
,
硫化
,
热处理
