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AYSZ涂层的制备及显微结构与性能研究

唐宏志 , 孙寅章 , 王树林 , 曹德明 , 郑学斌

材料科学与工艺

采用振动研磨方法对喷涂前驱体(6%Al2O3-7% YSZ混合粉体)进行研磨处理,并通过XRD和TEM对研磨后的混合粉体进行表征.利用大气等离子喷涂技术,分别对研磨过的前驱体和7%YSZ粉体进行喷涂,制备了新型AYSZ涂层和常规YSZ涂层,采用SEM,XRD和EDS等测试方法,研究了这两种涂层的显微组织及相组成.研究结果表明:前驱体颗粒经过振动研磨后,产生大量的应变和位错等缺陷,使材料处于亚稳、高能活性状态.在等离子高温的诱导下,储存在材料内部的能量得以释放,使得AYSZ涂层的柱状晶粒尺寸减小至纳米级.相比于YSZ涂层,AYSZ涂层含有较多的c-ZrO2,提高了涂层的孔隙率、弹性模量和硬度等性能.

关键词: 振动研磨 , 等离子喷涂 , 位错缺陷 , 能量释放 , 热障涂层

导模法蓝宝石单晶的位错缺陷及其力学性能的研究

胡克艳 , 唐慧丽 , 王静雅 , 钱小波 , 徐军 , 杨秋红

人工晶体学报

采用导模法生长了a向,尺寸为60 mm ×5 mm ×300 mm的蓝宝石单晶片,采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了其(0001)晶面的位错特征,并且采用INSTRON-1195万能试验机测试了抛光样品的弯曲强度.结果显示:当晶体中位错缺陷分布均匀时,在外部弯曲应力下,蓝宝石晶体发生特定晶面的高强解理断裂,位错密度的升高对蓝宝石弯曲强度没有明显损害作用.然而当晶体中出现位错密排结构时,蓝宝石单晶常温弯曲强度迅速下降.

关键词: 导模法 , 蓝宝石 , 位错缺陷 , 弯曲强度

掺杂LiNbO3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究

刘金伟 , 刘国庆 , 江竹青 , 陶世荃

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.021

本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂LiNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系.通过实验发现了常温下侵蚀铌酸锂晶体的规律,并利用侵蚀法观测到铌酸锂晶体样品表面呈三角锥状的位错侵蚀坑.测量了晶体样品的散射噪声,从中找出了晶体缺陷与存储图像质量关系.并发现掺Zn的Fe:LiNbO3晶体其晶体缺陷减少,晶体体全息存储性能有了明显提高.

关键词: 铌酸锂晶体 , 位错缺陷 , 侵蚀观测法 , 散射噪声 , 体全息存储

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