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量子棒中极化子激发态的性质

白瑞峰 , 肖景林

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.06.019

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量.采用线性组合算符和么正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中弱耦合极化子的振动频率λ、第一内部激发态能量E_l、激发能量AE和从激发态到基态跃迁谱线频率ω随椭球的纵横比e'、电子-声子耦合强度α和横向和纵向有效受限长度l_p和l_z的变化关系.数值计算结果表明:振动频率、第一内部激发态能量、激发能量和跃迁谱线频率随横向和纵向有效受限长度的减少而迅速增大.第一内部激发态能量随电子-声子耦合强度的增加而减少.振动频率随椭球纵横比的增加而减少.当e'>1时,激发能量和跃迁谱线频率随椭球纵横比的增加而增加.当e'<1时,随椭球纵横比的减少而增大.当e'=1时,它们取极小值.

关键词: 光电子学 , 低维结构 , 量子棒 , 线性组合算符 , 极化子 , 激发态 , 纵横比

氧化锌低维结构材料场发射性能研究进展

李艳霞 , 范希梅 , 周祚万

材料导报

ZnO具有负的电子亲和势、丰富的结构和形貌可设计性以及良好的机械和化学稳定性等优点,是一种最有前途的阴极电子发射材料.结合作者实验室的工作,综述了近年来迅速发展的ZnO低维结构的场发射特性以及制备方法、形貌结构、排列及密度、表面吸附、掺杂和热处理等因素对其场发射性能的影响,介绍了四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)作为场发射阴极材料的优势.

关键词: 氧化锌 , 低维结构 , 四针状氧化锌 , 场发射

静电自组装制备低维纳米结构的最新进展

郝维昌 , 潘锋 , 王天民

材料导报

静电自组装技术是一种能够方便地实现低维纳米结构组装的新工艺.由于其具有工艺简单、所得体系热力学稳定性好等优点而受到众多研究小组的重视.详细介绍了静电自组装成膜驱动力的研究结果和近10年来取得的重要进展,并对静电自组装工艺的优缺点进行了评述.

关键词: 静电自组装 , 成膜驱动力 , 复合膜 , 低维结构

抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的光学声子平均数

胡义嘎 , 尹辑文 , 肖景林

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.05.022

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数的影响.导出量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度,库仑束缚势和磁场的回旋共振频率的变化关系.数值计算结果表明:弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率和库仑束缚势的增加而增加,表现出奇特的量子尺寸效应.

关键词: 光电子学 , 低维结构 , 抛物量子点 , 束缚磁极化子 , 振动频率 , 光学声子平均数

InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构

刘祥林 , 董逊 , 黎大兵

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.002

研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800~880 ℃, 其In组分随生长温度升高而降低. 用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质.光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上.时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区--在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区.

关键词: InGaAlN , 生长 , 光学性质 , 低维结构 , 铟聚集

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