郝国强
,
张永刚
,
顾溢
,
刘天东
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.014
从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47As PIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性.结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈现出相应的温度特性.还从理论与实验两方面探讨了噪声对探测器R0A的影响,结果表明:在低温段,产生-复合噪声起主要作用,在高温段,俄歇复合噪声起主要作用.
关键词:
光电探测器
,
暗电流
,
探测率
,
温度特性
刘家洲
,
陈意桥
,
税琼
,
南矿军
,
李爱珍
,
张永刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.011
报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能.在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps.对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论.
关键词:
光电探测器
,
分子束外延
,
In0.53Ga0.47As