孙彦
,
方志丹
,
龚政
,
苗振华
,
牛智川
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.040
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差.
关键词:
量子点
,
应力缓冲层
,
半高宽
,
光致荧光谱
谢正生
,
吴惠桢
,
劳燕锋
,
刘成
,
曹萌
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.03.008
研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bragg反射腔镜(DBR)的反射率.实验结果表明,InP基外延半腔VCSEL结构成功地在200℃低温下金属键合到Si衬底上,键合强度高,键合质量达到了VCSEL器件工艺制作要求.对键合样品光学特性的分析表明,低温金属键合过程不影响量子阱有源区及DBR的光学性质,这对VCSEL器件结构的制作是有利的.这种低温金属键合技术,有望应用在许多半导体光电器件的制作中.
关键词:
低温金属键合
,
垂直腔面发射激光器
,
反射谱
,
光致荧光谱
黄伟其
,
刘世荣
,
胡林
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.01.017
采用氧化和析出的方法在氧化硅中凝聚生成锗纳米晶体量子点结构.其形成的锗晶体团簇没有突出的棱角和支晶结构,锗晶体团簇的轮廓较圆混,故可以用球形量子点模型来模拟实际的锗晶体团簇.对比了在高温(800℃～1000℃)条件下和在低温(200℃～500℃)用激光照射条件下所生成的锗纳米晶体结构的PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布.低温用激光照射条件下所生成的锗纳米晶体较小,其PL光谱出现蓝移.用量子点受限模型计算了锗纳米晶体团簇的能隙结构,用Monte Carlo方法模拟了PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布,分别与实验结果吻合较好.
关键词:
光电子学
,
量子点
,
锗团簇
,
光致荧光谱
