靳锐敏
,
卢景霄
,
王海燕
,
张丽伟
,
王生钊
,
刘萍
,
王红娟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.039
为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5min,然后用Raman、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀.XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右.
关键词:
PECVD法
,
非晶硅薄膜
,
传统退火炉子
,
光退火
,
晶粒大小
,
拉曼光谱
,
XRD
,
SEM
靳瑞敏
,
罗鹏辉
,
陈兰莉
,
郭新峰
,
卢景霄
人工晶体学报
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.平均晶粒大小为30nm左右.
关键词:
PECVD法
,
非晶硅薄膜
,
光退火
,
量子态
,
晶粒大小
