刘少林
,
邹兆一
,
庞春霖
,
付国柱
,
邱法斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.017
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制.新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高﹑原料气体利用效率高﹑衬底温度低﹑生长的薄膜致密﹑电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术.文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论.
关键词:
硅薄膜
,
薄膜晶体管
,
化学气相淀积法
