李焕勇
,
介万奇
功能材料
用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001～1020℃,管内温差＜4℃.经过两周生长,得到8mm×7mm×0.8mm的绿色ZnSe晶体.XRD表明晶体表面为(111)面;受气固界面形貌影响,双晶衍射半高峰宽为50s;PL谱由DPA和SA两个发光峰组成;并研究了晶体片的吸收光谱、荧光光谱、反射光谱和红外透过等光学性质.
关键词:
化学气相输运
,
光学性质
,
输运剂
,
ZnSe单晶
韦志仁
,
武明晓
,
郭树青
,
高平
,
尹利君
,
黄存新
,
张金平
,
张晓军
,
董国义
人工晶体学报
采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在(0001)方向的蓝宝石籽晶片上制备了(0002)方向定向生长的ZnO晶体,且a、b轴生长速度明显高于c轴方向.以(0002)方向的ZnO籽晶片作基片,制备了ZnO单晶厚膜,晶体呈螺旋状外延生长,正极面的单晶摇摆曲线半高宽为543.6弧秒.
关键词:
ZnO晶体
,
化学气相输运
,
摇摆曲线
张旭
,
李卫
,
张力强
,
丁进
,
王坤
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.041
采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2.对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70%,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm.
关键词:
ZnSe单晶
,
化学气相输运
,
位错密度
