王剑屏
,
郝跃
,
彭军
,
朱作云
,
张永华
,
宋国乡
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.014
对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出"汽相结晶"过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,在SiC薄膜的生长过程中,对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素.这很好地解释了薄膜生长过程中出现的异常现象.
关键词:
碳化硅
,
化学汽相淀积
,
异质外延
,
汽相外延
吴振宇
,
汪家友
,
杨银堂
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.001
利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究.采用原子力显微镜、傅立叶变换红外光谱和椭圆偏振光检测等技术对薄膜的表面形貌、结构、厚度和折射率等性质进行了测量.结果表明,采用ECR-CVD技术能够在较低的衬底温度条件下以较高的沉积速率制备厚度均匀的氮化硅薄膜,薄膜中H含量很低.薄膜沉积速率随微波功率和混合气体中硅烷比例的增加而增大.折射率随微波功率的增大而减小,随混合气体中硅烷比例的增大而增大.在相同气体混合比和微波功率条件下,较高衬底温度条件下制备的薄膜折射率较大.
关键词:
电子回旋共振
,
化学汽相淀积
,
氮化硅
,
钝化薄膜