郭廷彪
,
丁雨田
,
许广济
,
胡勇
中国有色金属学报
分别用小通道角模具(模具Ⅰ)和大通道角模具(模具Ⅱ)以及A 路径和Bc路径对单晶铜和多晶铜进行等通道角挤压(ECAP)实验,对挤压后的组织进行光学显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)观察,对挤压后的单晶铜组织进行XRD分析,研究单晶铜和多晶铜在挤压中的变形行为.结果表明:单晶铜在两种路径挤压后的抗拉强度无明显差异,用模具Ⅰ挤压时其力学性能的变化幅度较大,经多道次挤压后,其显微组织沿压力轴方向具有明显的定向排列特征.多晶铜在A路径挤压时,其抗拉强度的上升幅度明显比在Bc路径挤压时大.随着挤压道次的增加,两种材料的组织均匀化程度和硬度增大,其断裂方式逐渐由韧性断裂向脆性断裂方向转变.
关键词:
单晶铜
,
多晶铜
,
等通道角挤压
,
大塑性变形
,
力学性能
曹军
,
丁雨田
,
卢振华
,
胡勇
材料热处理学报
利用扫描电镜、X射线衍射仪和氧化称重实验对铜表面氧化速率进行研究,分析了不同组织、晶粒和温度对铜氧化性能的影响。结果表明：铜的组织结构是影响其氧化性能的主要因素,非密排的（100）晶面上界面能高、晶面原子堆垛相对疏松和原子尺度上粗糙,且氧化膜生长连续,氧化速率高于密排的（111）晶面;温度升高,铜表面的内能增大,铜原子较易成为活化原子与氧气发生反应,同时增大了铜原子在氧化膜中的扩散速率,加速了铜的氧化;铜试样经过等径角挤压（ECAP）后,（111）晶面铜表面的面积增大,氧化速率降低,晶界不是影响铜氧化速率的主要因素,能量较小的晶面原子所占的面积增大,铜的氧化速率减小。
关键词:
单晶铜
,
多晶铜
,
氧化速率
,
等径角挤压(ECAP)
杨晓京
,
李勇
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.08.021
利用纳米压痕仪和原子力显微镜对微纳米尺度下单晶铜各向异性表面在不同载荷和刻划速度下的切削特性进行实验研究.结果表明:单晶铜各晶面表面在较低载荷下,划痕细小且不明显.随着载荷的逐渐增大,划痕深度和宽度逐渐变大,并形成明显的沟槽,在沟槽的两侧出现明显的侧流现象,探针前方出现切屑堆积,尤其单晶铜Cu(100)切屑堆积较明显;单晶铜Cu(100)在刻划速度为10 μm/s、50μmn/s时,切削力无明显变化规律,其余两晶向都是在同等载荷下,刻划速度越大,切削力越大.随着刻划速度的增大,切削力趋于稳定;载荷越大,切削力越大,其相应摩擦系数也增大.
关键词:
微纳米尺度
,
单晶铜
,
各向异性
,
切削特性
李炳
,
严文
,
王鑫
,
范新会
腐蚀学报（英文）
采用氧化增重实验,通过改变温度、水蒸汽流量两个参数,对单晶铜线材的表面氧化行为进行了研究.结果表明:单晶铜线材在潮湿环境中的氧化由三个阶段构成;温度与水蒸汽流量两个因素对单晶铜线材的表面氧化均有显著影响,温度越高、水蒸汽流量越大,氧化速率越快;单晶铜线材在潮湿环境下的氧化产物是Cu_2O,其氧化速度由Cu_2O的生长速度控制,氧化膜对线材的后期氧化起阻碍作用.
关键词:
单晶铜
,
表面氧化
,
氧化速率
,
氧化膜
张进修
,
龚康
,
王晓伟
,
朱震刚
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.024
用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱,在170,320以及490 Hz附近观测到3个明显的共振吸收频率峰.3种试样在晶粒结构上存在极大差别,但其共振吸收内耗峰出现在相同频率范围,这说明产生内耗频率峰的机制与晶体缺陷和晶粒尺度无关,而与材料的晶体点阵性质密切相关.
关键词:
内耗
,
频率谱
,
多晶铜
,
单晶铜
,
纳米晶铜
,
共振吸收
娄有信
,
王继扬
,
张怀金
,
李强
,
严清峰
,
马朝晖
,
戴媛静
人工晶体学报
采用提拉法成功制备出高纯铜(Cu)单晶,最大尺寸为φ15 mm×60 mm.采用化学机械抛光(CMP)方法对Cu单晶基片进行抛光,借助光学显微镜、表面轮廓仪和扫描探针显微镜分析了基片表面形貌、表面粗糙度与表面均匀性,并探讨了抛光压力、表面活性剂和抛光垫对基片表面抛光的影响,结果表明:采用CMP加工后的铜单晶基片表面无宏观划痕、加工均匀性好,基片表面粗糙度Ra为0.921 nm.
关键词:
单晶铜
,
化学机械抛光
,
表面粗糙度
张进修
,
龚康
金属学报
用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱，在170，320以及490Hz附近观测到3个明显的共振吸收频率峰，3种试样在晶粒结构上存在极大差别，但其共振吸收内耗峰出现在相同频率范围，这说明产生内耗频率峰的机制与晶体缺陷和晶粒尺度无关，而与材料的晶体点阵性质密切相关.
关键词:
内耗
,
null
,
null
,
null
,
null
李军伟
,
李明扬
,
郭小龙
,
李守新
金属学报
采用分离式Hopkinson压杆(SHPB)实验装置和SEM研究了原始态
和疲劳态铜单晶在高应变率下形变的组织演变. 实验结果表明: 原始态铜
单晶在高应变率下很难产生绝热剪切带(ASB), 而疲劳态铜单晶容易产生绝热剪切带.
驻留滑移带(PSBs)和冲击波引起的应力集中是疲劳态铜单晶高应变率形变下绝
热剪切带形成的重要原因, 绝热剪切带的间距和宽度随应变率的增大而减小.
关键词:
绝热剪切带
,
null
,
null
