于江勇
,
刘玉岭
,
牛新环
,
李英的
,
夏显召
功能材料
分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)过程中的作用机理,并对比了SiO2水溶胶磨料和SiO2与Al2O3混合磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响.研究表明,在主磨料SiO2水溶胶中加入浓度为20mL/L同粒径纳米级的Al2O3可以使CMP过程中的化学作用与机械作用达到相互平衡,使抛光去除速率得到明显提高.在距抛光终点5～10min通过调整工艺参数与抛光液配比,使表面粗糙度由2.32nm降至0.236nm.
关键词:
蓝宝石衬底
,
化学机械抛光
,
混合磨料
,
去除速率
熊伟
,
储向峰
,
董永平
,
毕磊
,
叶明富
,
孙文起
人工晶体学报
本文制备了几种含不同磨料(SiC、Al2O3不同粒径SiO2)的抛光液,通过纳米粒度仪分析磨料粒径分布,采用原子力显微镜观察磨料的粒径大小.研究了不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光(CMP)的影响,利用原子力显微镜检测抛光前后蓝宝石晶片表面粗糙度.实验结果表明,在相同的条件下,采用SiC、Al2O3作为磨料时,材料去除速率与表面粗糙度均不理想；而采用含1％粒径为110 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率最高为41.6 nm/min,表面粗糙度Ra=2.3 nm；采用含1％粒径为80 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率为36.5 nm/min,表面粗糙度最低Ra=1.2 nm.
关键词:
蓝宝石
,
化学机械抛光
,
去除速率
,
表面粗糙度
,
磨料
张聪
,
谭毅
,
王强
,
顾正
,
徐强
,
董伟
机械工程材料
采用钨丝网发热体对工业硅进行高温熔炼，通过在真空条件和低压条件下的对比试验，研究了不同压力条件对磷去除效果的影响。结果表明：在1×10^-3～2×10^-2Pa的真空条件下熔炼时，磷含量随熔炼时间的延长而降低并在熔炼前期下降迅速；磷的去除反应为一阶反应式，活化能为102kJ·mol^-，随熔炼温度的升高去除速率加快，2．7ks时去除率超过80％；在2～6Pa的低压条件下熔炼时，磷的去除反应也可以用一阶反应式表示，但磷的去除速率受温度影响不明显，去除速率常数受环境压力影响比真空条件下的低；不同压力条件下熔炼时磷去除速率的控制步骤不同。
关键词:
太阳能级硅
,
真空熔炼
,
除磷
,
去除速率
曹振中
,
左敦稳
,
黎向锋
,
卢文壮
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.040
CVD金刚石具有和天然金刚石相近的一系列独特的力学、热学、声学、电学、光学和化学性能,在航空、航天、国防等高科技领域具有广阔的应用前景.但是,普通CVD金刚石膜是绝缘体,无法直接进行电加工.本文在分析了电火花加工半导体材料去除速率的基础上,通过掺硼对CVD金刚石厚膜进行半导体改性,继而实现了其电火花加工.通过研究,建立了掺硼金刚石厚膜电火花加工去除速率的经验公式.最后,通过Raman和SEM分析对CVD金刚石厚膜的电火花加工机理进行了初步探讨.
关键词:
金刚石厚膜
,
电火花加工
,
去除速率
,
掺硼
王颖男
,
杭凌侠
,
胡敏达
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2008.01.018
为了得到超光滑表面且无表层损伤的光学元件,引入一种新型的超光滑表面加工技术--等离子体抛光.介绍了有关等离子体刻蚀的研究进展以及去除机理,在已经设计好的实验平台上进行等离子体加工工艺实验,对影响去除效果的参数进行了实验研究,最后进行工艺参数优化.结果表明此技术能够应用于对光学元件的加工.
关键词:
超光滑表面
,
等离子体抛光
,
电容耦合放电
,
表面粗糙度
,
去除速率
康静
,
左敦稳
,
孙玉利
,
朱永伟
硅酸盐通报
本文利用Matlab建立了固结磨料抛光的平面度预测模型,根据硅片初始形貌及抛光参数值,可以预测抛光后硅片的表面形貌,并通过实验验证了该模型的可靠性.利用该模型分析了各抛光工艺参数对平面度的影响,结果表明:硅片和抛光垫转速不等时,硅片呈凸形,转速相差越大,平面度越差,但转速大小对平面度影响较小;增大偏心距有利于减小转速不等带来的影响,使平面度变好;选择较小的压力有利于平面度的提高.
关键词:
固结磨料抛光
,
平面度
,
去除速率
,
Matlab
冯翠月
,
张文倩
,
刘玉岭
电镀与涂饰
探讨了抛光液组成和机械抛光工艺参数(包括抛光压力、转速、抛光液流速和抛光时间)对铝栅化学机械抛光过程中铝的去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂H2O2 1.0％(体积分数,下同),螯合剂FA/O Ⅱ 0.4％,非离子表面活性剂FA/O Ⅰ 2.0％,纳米硅溶胶磨料12％,pH 10.粗抛工艺参数为:抛光压力3.0 psi,转速50 r/min,抛光液流速250 mL/min,抛光时间240 s.精抛工艺参数为:抛光压力2.0 psi,转速45 r/min,抛光液流速150 mL/min,抛光时间240 s.粗抛时铝的去除速率为330 nm/min,精抛时铝的去除速率为210 nm/min.通过2种抛光工艺相结合,铝栅表面粗糙度可达13.26 nm.
关键词:
铝栅
,
化学机械抛光
,
配方
,
磨料
,
去除速率
,
表面粗糙度
魏文浩
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
牛新环
,
郑伟艳
,
尹康达
功能材料
研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂（通常为H2O2）。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能够保护凹陷处的Cu不被去除,而对阻挡层（Ta）和保护层（TEOS）具有较高的去除速率,利于碟形坑和蚀坑的修正。在300mm铜布线CMP中应用表明,此碱性阻挡层抛光液为高选择性抛光液,能够实现Ta/TEOS/Cu的选择性抛光,对碟形坑（dishing）和蚀坑（erosion）具有较强的修正作用,有效地消除了表面的不平整性,与去除速率及选择性实验结果一致,能够用于多层铜布线阻挡层的抛光。
关键词:
碱性阻挡层抛光液
,
去除速率
,
选择性
,
碟形坑
,
蚀坑
张金
,
刘玉岭
,
闫辰奇
,
张文霞
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2017.01.007
在铝栅化学机械平坦化(CMP)中磨料直接影响去除速率和表面粗糙度.采用不同粒径的磨料配置抛光液对铝栅进行CMP实验,对去除速率和表面形貌测试结果进行分析.结果表明,去除速率与参与抛光的磨料颗粒数目和单个颗粒去除速率有关,表面粗糙度与单个磨料颗粒机械作用和抛光后磨料颗粒表面吸附有关,并对抛光液稳定性进行了研究.最终选用粒径70 nm,质量分数为5％的磨料,去除速率可达到181 nm/min,表面粗糙度为9.1nm,对今后铝栅CMP的研究提供了参考.
关键词:
化学机械平坦化
,
去除速率
,
粒径
,
粗糙度
,
高k金属栅极
张金
,
刘玉岭
,
闫辰奇
,
张文霞
电镀与涂饰
在低工作压力(1 psi)和低磨料用量(纳米硅溶胶体积分数2.5％,后同)下,通过单因素实验探讨了碱性抛光液组分(包括氧化剂H2O2、FA/O型螯合剂和非离子型表面活性剂)含量对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂1.5％,螯合剂0.5％,表面活性剂1.0％.铝的去除速率为1 00 nm/min,抛光后的表面粗糙座为8.85 nm.
关键词:
铝栅
,
化学机械抛光
,
氧化剂
,
螯合剂
,
表面活性剂
,
去除速率
