材料期刊网

SiC及a-SiC：H薄膜的辐照及其进展

刘贵昂 , 王天民

材料导报

SiC是一种宽带隙半导体材料，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。介绍了国外对该材料及其薄膜进行辐照的一些结果，并指出开展SiC及其薄膜辐照效应研究的重要意义，预测了其发展方向和应用前景。

关键词: SiC , 辐照 , 发展方向与应用前景